TPC8206 - описание и поиск аналогов

 

TPC8206. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TPC8206

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для TPC8206

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TPC8206 даташит

 ..1. Size:219K  toshiba
tpc8206.pdfpdf_icon

TPC8206

TPC8206 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSII) TPC8206 Lithium Ion Battery Applications Unit mm Notebook PC Applications Portable Equipment Applications Small footprint due to small and thin package Low drain-source ON resistance R = 40 m (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance Y = 7.0 S (typ.) fs Low leakage c

 ..2. Size:912K  cn vbsemi
tpc8206.pdfpdf_icon

TPC8206

TPC8206 www.VBsemi.tw Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) 60 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.040 RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.055 ID (A) per leg 7 Configuration Dual SO-8 Dual D2 D1 D2 D2 5 D1 6 D1 7 8 G1 G2 4 G2 3 3 S1 S2 S2 S2 2 2 G G1 1 1 N-Channel MOSFET N-Channel

 8.1. Size:300K  toshiba
tpc8209.pdfpdf_icon

TPC8206

TPC8209 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS II) TPC8209 Lithium Ion Battery Applications Unit mm Portable Equipment Applications Notebook PC Applications Small footprint due to small and thin package Low drain-source ON resistance R = 30 m (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance Y = 10 S (typ.) fs Low leakage current

 8.2. Size:215K  toshiba
tpc8208.pdfpdf_icon

TPC8206

TPC8208 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSIII) TPC8208 Lithium Ion Battery Applications Unit mm Notebook PC Applications Portable Equipment Applications Small footprint due to small and thin package Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 38 m (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 6.3 S (typ.) Low leakage curre

Другие MOSFET... TPC8115 , TPC8116-H , TPC8117 , TPC8118 , TPC8119 , TPC8121 , TPC8122 , TPC8203 , AON7410 , TPC8207 , TPC8208 , TPC8209 , TPC8210 , TPC8211 , TPC8212-H , TPC8213-H , TPC8214-H .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.