Справочник MOSFET. 2N6798JANTXV

 

2N6798JANTXV MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: 2N6798JANTXV

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5.5 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Выходная емкость (Cd): 900 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.4 Ohm

Тип корпуса: TO205AF

Аналог (замена) для 2N6798JANTXV

 

 

2N6798JANTXV Datasheet (PDF)

4.1. 2n6798 irff230.pdf Size:131K _international_rectifier

2N6798JANTXV
2N6798JANTXV

PD -90431C IRFF230 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6798 HEXFET?TRANSISTORS JANTXV2N6798 THRU-HOLE (TO-205AF) REF:MIL-PRF-19500/557 200V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRFF230 200V 0.40? 5.5A The HEXFET?technology is the key to International Rectifiers advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of this la

4.2. 2n6796 2n6798 2n6800 2n6802.pdf Size:66K _omnirel

2N6798JANTXV
2N6798JANTXV

2N6796, JANTX2N6796 JANTXV2N6796 2N6800, JANTX2N6800, JANTXV2N6800 2N6798, JANTX2N6798 JANTXV2N6798 2N6802, JANTX2N6802, JANTXV2N6802 JANTX, JANTXV POWER MOSFET IN TO-205 AF PACKAGE, QUALIFIED TO MIL-PRF-19500/557 100 V, 200 V, 400 V & 500 V, N-Channel, Enhancement Mode MOSFET Power Transistor FEATURES Low RDS(on) Ease of Paralleling Qualified to MIL-PRF-19500/557 DESCRIPTION This h

 4.3. 2n6798.pdf Size:21K _semelab

2N6798JANTXV
2N6798JANTXV

2N6798 MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE TRANSISTOR FEATURES V(BR)DSS = 200V ID = 5.5A ! RDSON = 0.40

Другие MOSFET... 2N6796JANTX , 2N6796JANTXV , 2N6796SM , 2N6797 , 2N6797LCC4 , 2N6797-SM , 2N6798 , 2N6798JANTX , J310 , 2N6798SM , 2N6799 , 2N6799LCC4 , 2N6799-SM , 2N6800 , 2N6800JANTX , 2N6800JANTXV , 2N6800SM .

 

 
Back to Top