TPCS8105. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: TPCS8105
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 590 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0135 Ohm
Тип корпуса: TSSOP8
Аналог (замена) для TPCS8105
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
TPCS8105 даташит
tpcs8105.pdf
TPCS8105 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOS IV) TPCS8105 Lithium Ion Battery Applications Unit mm Notebook PC Applications Portable Equipment Applications Small footprint due to small and thin package Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 9.6 m (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 23 S (typ.) Low leakage cur
tpcs8102.pdf
TPCS8102 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOS II) TPCS8102 Lithium Ion Battery Applications Unit mm Portable Equipment Applications Notebook PCs Small footprint due to small and thin package Low drain-source ON resistance R = 16 m (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance Y = 17 S (typ.) fs Low leakage current IDSS = -10
tpcs8104.pdf
TPCS8104 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOS IV) TPCS8104 Lithium Ion Battery Applications Unit mm Notebook PC Applications Portable Equipment Applications Small footprint due to small and thin package Low drain-source ON resistance R = 8.1 m (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance Y = 23 S (typ.) fs Low leakag
tpcs8101.pdf
TPCS8101 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOS II) TPCS8101 Lithium Ion Battery Applications Unit mm Portable Equipment Applications Notebook PCs Small footprint due to small and thin package Low drain-source ON resistance R = 15 m (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance Y = 12 S (typ.) fs Low leakage current IDSS = -10
Другие MOSFET... TPCS8004 , TPCS8006 , TPCS8007-H , TPCS8008-H , TPCS8009-H , TPCS8101 , TPCS8102 , TPCS8104 , 2N7002 , TPCS8204 , TPCS8205 , TPCS8208 , TPCS8209 , TPCS8210 , TPCS8211 , TPCS8212 , TPCS8213 .
History: FDS4559F085 | SGSP361 | STM6926 | MMBT7002
History: FDS4559F085 | SGSP361 | STM6926 | MMBT7002
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
mj15025 | mp1620 | kta1381 | bf494 | 2sc1885 | skd502t | 2sb754 | 2sc2362




