TPCS8212 - описание и поиск аналогов

 

TPCS8212. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TPCS8212

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm

Тип корпуса: TSSOP8

Аналог (замена) для TPCS8212

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TPCS8212 даташит

 ..1. Size:220K  toshiba
 tpcs8212.pdf pdf_icon

TPCS8212

TPCS8212 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSIII) TPCS8212 Lithium Ion Battery Applications Unit mm Small footprint due to small and thin package Low drain-source ON resistance R = 16 m (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance Y = 11 S (typ.) fs Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 20 V) Enhancement-

 7.1. Size:241K  toshiba
 tpcs8210.pdf pdf_icon

TPCS8212

TPCS8210 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSIII) TPCS8210 Lithium Ion Battery Applications Unit mm Small footprint due to small and thin package Low drain-source ON resistance R = 19 m (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance Y = 9.2 S (typ.) fs Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 20 V) Enhancement

 7.2. Size:220K  toshiba
 tpcs8211.pdf pdf_icon

TPCS8212

TPCS8211 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSIII) TPCS8211 Lithium Ion Battery Applications Unit mm Notebook PC Applications Portable Machines and Tools Small footprint due to small and thin package Low drain-source ON resistance R = 16 m (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance Y = 11 S (typ.) fs Low leakage cur

 7.3. Size:223K  toshiba
 tpcs8214.pdf pdf_icon

TPCS8212

TPCS8214 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS ) TPCS8214 Lithium Ion Battery Applications Unit mm Small footprint due to small and thin package Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 10.5m (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 10S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 30 V) Enhancement mode

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... TPCS8104 , TPCS8105 , TPCS8204 , TPCS8205 , TPCS8208 , TPCS8209 , TPCS8210 , TPCS8211 , 4435 , TPCS8213 , TPCS8214 , TPCS8302 , TPCS8303 , TPCT4201 , TPCT4202 , TPCT4203 , TPCT4204 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.