Справочник MOSFET. TPCT4201

 

TPCT4201 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TPCT4201
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.031 Ohm
   Тип корпуса: STP

 Аналог (замена) для TPCT4201

 

 

TPCT4201 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:242K  toshiba
 tpct4201.pdf

TPCT4201 TPCT4201

 7.1. Size:827K  toshiba
 tpct4203.pdf

TPCT4201 TPCT4201

TPCT4203 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (U-MOS ) TPCT4203 Lithium-Ion Battery Applications (1Cell) Unit: mm Lead(Pb)-Free3.8 0.1 Small footprint due to a small and thin package Low source-source ON-resistance: RSS (ON) = 25.5 m (typ.) 140.375 High forward transfer admittance: |Yfs| = 18 S (typ.) 0.375 Low leakage current: ISSS = 10

 7.2. Size:242K  toshiba
 tpct4202.pdf

TPCT4201 TPCT4201

 7.3. Size:120K  toshiba
 tpct4204.pdf

TPCT4201 TPCT4201

TPCT4204 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS) TPCT4204 TENTATIVELithium Ion Secondary Battery Applications Unit: mm Lead(Pb)-Free 3.8 0.1 Small footprint due to small and thin package 1 Low source-source ON resistance: R = (22)m (typ.) SS (ON)40.45 2.00.1 High forward transfer admittance: |Yfs| = (25) S (typ.

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: MTN2N70I3

 

 
Back to Top