TPCT4201 - аналоги и даташиты транзистора

 

TPCT4201 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: TPCT4201
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.031 Ohm
   Тип корпуса: STP
 

 Аналог (замена) для TPCT4201

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TPCT4201 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:242K  toshiba
 tpct4201.pdf pdf_icon

TPCT4201

 7.1. Size:827K  toshiba
 tpct4203.pdf pdf_icon

TPCT4201

TPCT4203 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (U-MOS ) TPCT4203 Lithium-Ion Battery Applications (1Cell) Unit: mm Lead(Pb)-Free3.8 0.1 Small footprint due to a small and thin package Low source-source ON-resistance: RSS (ON) = 25.5 m (typ.) 140.375 High forward transfer admittance: |Yfs| = 18 S (typ.) 0.375 Low leakage current: ISSS = 10

 7.2. Size:242K  toshiba
 tpct4202.pdf pdf_icon

TPCT4201

 7.3. Size:120K  toshiba
 tpct4204.pdf pdf_icon

TPCT4201

TPCT4204 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS) TPCT4204 TENTATIVELithium Ion Secondary Battery Applications Unit: mm Lead(Pb)-Free 3.8 0.1 Small footprint due to small and thin package 1 Low source-source ON resistance: R = (22)m (typ.) SS (ON)40.45 2.00.1 High forward transfer admittance: |Yfs| = (25) S (typ.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... TPCS8209 , TPCS8210 , TPCS8211 , TPCS8212 , TPCS8213 , TPCS8214 , TPCS8302 , TPCS8303 , RFP50N06 , TPCT4202 , TPCT4203 , TPCT4204 , 2SJ148 , 2SJ167 , 2SJ342 , 2SK1061 , 2SK1825 .

History: BL7N60A-U | BL7N60A-D | VSP0R8N04HS-G | NP90N06VLG | 2SK3635-Z | NTMFD5C470NLT1G | MTP4N40E

 

 
Back to Top

 


 
.