TPCT4204 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: TPCT4204
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.47 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
Тип корпуса: STP
Аналог (замена) для TPCT4204
TPCT4204 Datasheet (PDF)
tpct4204.pdf

TPCT4204 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS) TPCT4204 TENTATIVELithium Ion Secondary Battery Applications Unit: mm Lead(Pb)-Free 3.8 0.1 Small footprint due to small and thin package 1 Low source-source ON resistance: R = (22)m (typ.) SS (ON)40.45 2.00.1 High forward transfer admittance: |Yfs| = (25) S (typ.
tpct4203.pdf

TPCT4203 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (U-MOS ) TPCT4203 Lithium-Ion Battery Applications (1Cell) Unit: mm Lead(Pb)-Free3.8 0.1 Small footprint due to a small and thin package Low source-source ON-resistance: RSS (ON) = 25.5 m (typ.) 140.375 High forward transfer admittance: |Yfs| = 18 S (typ.) 0.375 Low leakage current: ISSS = 10
Другие MOSFET... TPCS8212 , TPCS8213 , TPCS8214 , TPCS8302 , TPCS8303 , TPCT4201 , TPCT4202 , TPCT4203 , TK10A60D , 2SJ148 , 2SJ167 , 2SJ342 , 2SK1061 , 2SK1825 , 2SK982 , SSM3J15TE , SSM3J16TE .
History: AONS67614 | SSF65R190S3 | BUZ231 | R6012FNJ | 2SK3033 | STFW3N150 | BUZ357
History: AONS67614 | SSF65R190S3 | BUZ231 | R6012FNJ | 2SK3033 | STFW3N150 | BUZ357



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
c2026 transistor | 2n3903 transistor | 2n4360 | 2n2613 | c2166 transistor | 2sd330 | 20n60 | ksa1013