TPCT4204 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: TPCT4204
Маркировка: 204
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.47 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.2 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: TBD nC
Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
Тип корпуса: STP
TPCT4204 Datasheet (PDF)
tpct4204.pdf
TPCT4204 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS) TPCT4204 TENTATIVELithium Ion Secondary Battery Applications Unit: mm Lead(Pb)-Free 3.8 0.1 Small footprint due to small and thin package 1 Low source-source ON resistance: R = (22)m (typ.) SS (ON)40.45 2.00.1 High forward transfer admittance: |Yfs| = (25) S (typ.
tpct4203.pdf
TPCT4203 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (U-MOS ) TPCT4203 Lithium-Ion Battery Applications (1Cell) Unit: mm Lead(Pb)-Free3.8 0.1 Small footprint due to a small and thin package Low source-source ON-resistance: RSS (ON) = 25.5 m (typ.) 140.375 High forward transfer admittance: |Yfs| = 18 S (typ.) 0.375 Low leakage current: ISSS = 10
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DAMIA1100N100 | DAMI660N60 | DAMI560N100 | DAMI500N60 | DAMI450N100 | DAMI360N150 | DAMI330N60 | DAMI320N100 | DAMI300N150 | DAMI280N200 | DAMI220N200 | DAMI220N150 | DAMI160N200 | DAMI160N100 | DAMH75N500H | DAMH560N100