2SK1151S - описание и поиск аналогов

 

2SK1151S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SK1151S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 450 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5.5 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для 2SK1151S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK1151S даташит

 ..1. Size:265K  inchange semiconductor
2sk1151s.pdfpdf_icon

2SK1151S

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1151S FEATURES Drain Current I = 1.5A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 450V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 5.5 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purp

 7.1. Size:90K  renesas
2sk1151.pdfpdf_icon

2SK1151S

2SK1151(L), 2SK1151(S) 2SK1152(L), 2SK1152(S) Silicon N Channel MOS FET REJ03G0907-0200 (Previous ADE-208-1245) Rev.2.00 Sep 07, 2005 Application High speed power switching Features Low on-resistance High speed switching Low drive current No secondary breakdown Suitable for switching regulator and DC-DC converter Outline RENESAS Package code

 7.2. Size:119K  renesas
r07ds0397ej 2sk115152.pdfpdf_icon

2SK1151S

Preliminary Datasheet 2SK1151(L), 2SK1151(S), R07DS0397EJ0300 2SK1152(L), 2SK1152(S) (Previous REJ03G0907-0200) Rev.3.00 Silicon N Channel MOS FET May 16, 2011 Application High speed power switching Features Low on-resistance High speed switching Low drive current No secondary breakdown Suitable for switching regulator and DC-DC converter Outlin

 7.3. Size:273K  inchange semiconductor
2sk1151l.pdfpdf_icon

2SK1151S

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1151L FEATURES Drain Current I = 1.5A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 450V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 5.5 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purp

Другие MOSFET... 2SJ550S , 2SJ551L , 2SJ551S , 2SJ552L , 2SJ552S , 2SJ553L , 2SJ553S , 2SK1151L , STP80NF70 , 2SK1152L , 2SK1152S , 2SK1155 , 2SK1156 , 2SK1158 , 2SK1160 , 2SK1162 , 2SK1167 .

History: CM8N50F

 

 

 

 

↑ Back to Top
.