Справочник MOSFET. 2SK3070L

 

2SK3070L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: 2SK3070L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 130 nC
   trⓘ - Время нарастания: 300 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1300 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0058 Ohm
   Тип корпуса: LDPAK

 Аналог (замена) для 2SK3070L

 

 

2SK3070L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:282K  inchange semiconductor
 2sk3070l.pdf

2SK3070L 2SK3070L

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3070LFEATURESDrain Current : I = 75A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 40V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 5.8m(Max)@ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoi

 0.1. Size:108K  renesas
 rej03g1063 2sk3070lsds.pdf

2SK3070L 2SK3070L

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

 7.1. Size:94K  renesas
 2sk3070.pdf

2SK3070L 2SK3070L

2SK3070(L), 2SK3070(S) Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching REJ03G1063-0900 (Previous: ADE-208-684G) Rev.9.00 Sep 07, 2005 Features Low on-resistance RDS(on) =4.5 m typ. Low drive current 4 V gate drive device can be driven from 5 V source Outline RENESAS Package code: PRSS0004AE-A RENESAS Package code: PRSS0004AE-B(Package name: LDPAK(

 7.2. Size:356K  inchange semiconductor
 2sk3070s.pdf

2SK3070L 2SK3070L

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3070SFEATURESDrain Current : I = 75A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 40V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 5.8m(Max)@ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoi

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top