H5N1506P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: H5N1506P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 98 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 380 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1000 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm

Тип корпуса: TO3P

Аналог (замена) для H5N1506P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

H5N1506P даташит

 ..1. Size:108K  renesas
 rej03g0389 h5n1506p.pdf pdf_icon

H5N1506P

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

 8.1. Size:98K  renesas
 rej03g0186 h5n1503p.pdf pdf_icon

H5N1506P

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

Другие IGBT... 2SK3419, 2SK3446, 2SK3447, 2SK3736, 2SK4093, 2SK4150, 2SK4151, H5N1503P, IRF9640, H5N2003P, H5N2004DL, H5N2004DS, H5N2005DL, H5N2005DS, H5N2008P, H5N2301PF, H5N2305P