Справочник MOSFET. H5N1506P

 

H5N1506P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: H5N1506P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 98 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 380 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1000 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

H5N1506P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:108K  renesas
 rej03g0389 h5n1506p.pdf pdf_icon

H5N1506P

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

 8.1. Size:98K  renesas
 rej03g0186 h5n1503p.pdf pdf_icon

H5N1506P

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

Другие MOSFET... 2SK3419 , 2SK3446 , 2SK3447 , 2SK3736 , 2SK4093 , 2SK4150 , 2SK4151 , H5N1503P , IRLZ44N , H5N2003P , H5N2004DL , H5N2004DS , H5N2005DL , H5N2005DS , H5N2008P , H5N2301PF , H5N2305P .

History: DMN3052LSS | FHF630A

 

 
Back to Top

 


 
.