2N6657 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N6657  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 15 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm

Тип корпуса: TO3

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для 2N6657

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2N6657 даташит

 9.1. Size:89K  vishay
 2n6659-2.pdf pdf_icon

2N6657

2N6659, 2N6659-2 www.vishay.com Vishay Siliconix N-Channel 35 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Military Qualified VDS (V) 35 Low On-Resistence 1.3 RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 1.8 Low Threshold 1.7 V Configuration Single Low Input Capacitance 35 pF Fast Switching Speed 8 ns Low Input and Output Leakage TO-205AD BENEFITS (TO-39) Guarant

 9.2. Size:146K  mospec
 2n6383-85 2n6648-49 2n6650.pdf pdf_icon

2N6657

A A A

 9.3. Size:42K  no
 2n6656-59 2n6660-61.pdf pdf_icon

2N6657

 9.4. Size:71K  semelab
 2n6659x.pdf pdf_icon

2N6657

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 2N6659X Switching Regulators Converters Motor Drives ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C unless otherwise stated) VDS Drain Source Voltage 35V VGS Gate Source Voltage 20V ID TC = 25 C Drain Current 1.4A ID TC = 100 C Drain Current 1.0A IDM1 Pulsed Drain Current 3A PD TC = 25 C Power Dissipation 6.25W

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2N4393, 2N4393CSM, 2N4416, 2N5045, 2N5484, 2N5485, 2N5486, 2N6656, IRFP260N, 2N6658, 2N6659, 2N6659-LCC4, 2N6659-SM, 2N6660, 2N6660JAN, 2N6660JANTX, 2N6660JANTXV