H7N0203AB - аналоги и даташиты транзистора

 

H7N0203AB - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: H7N0203AB
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 380 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1850 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
 

 Аналог (замена) для H7N0203AB

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

H7N0203AB Datasheet (PDF)

 0.1. Size:101K  renesas
 rej03g1119 h7n0203abds.pdf pdf_icon

H7N0203AB

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

Другие MOSFET... H5N5006DS , H5N5006FM , H5N5006LS , H5N5007P , H5N5012P , H5N5015P , H5N5016PL , H5N6001P , K4145 , H7N0307AB , H7N0307LD , H7N0307LM , H7N0307LS , H7N0308AB , H7N0308LD , H7N0308LM , H7N0308LS .

 

 
Back to Top

 


 
.