H7P1002DS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: H7P1002DS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.105 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для H7P1002DS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

H7P1002DS даташит

 6.1. Size:131K  renesas
 rej03g1601 h7p1002dldsds.pdf pdf_icon

H7P1002DS

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

Другие IGBT... H7N1005FM, H7N1005LD, H7N1005LM, H7N1005LS, H7N1009MD90TZ, H7P0601DL, H7P0601DS, H7P1002DL, IRF9640, H7P1006MD90TZ, H8N0801AB, HAT1016R, HAT1020R, HAT1021R, HAT1023R, HAT1024R, HAT1025R