HAT2019R datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HAT2019R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 180 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 550 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для HAT2019R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HAT2019R даташит

 ..1. Size:65K  hitachi
 hat2019r.pdf pdf_icon

HAT2019R

HAT2019R N MOS FET ADJ-208-474 (Z) 96.06 2.5V SOP 8 5 6 7 8 4 3 2 5 6 7 8 1 D D D D 4 G 1, 2, 3 Source 4 Gate 5, 6, 7, 8 Drain S S

 8.1. Size:109K  renesas
 rej03g1156 hat2016rds.pdf pdf_icon

HAT2019R

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

 8.2. Size:1639K  cn vbsemi
 hat2016r.pdf pdf_icon

HAT2019R

HAT2016R www.VBsemi.tw Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.022 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET 6.8 30 15 nC 100 % UIS Tested 0.026 at VGS = 4.5 V 6.0 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Set Top Box

 8.3. Size:1056K  cn vbsemi
 hat2016rj.pdf pdf_icon

HAT2019R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HAT1110R, HAT1111C, HAT1123R, HAT1126R, HAT1126RJ, HAT1146C, HAT1147C, HAT2016R, IRFP250N, HAT2020R, HAT2022R, HAT2024R, HAT2026R, HAT2027R, HAT2028R, HAT2029R, HAT2033R