RJK0226DNS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: RJK0226DNS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 8.7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 565 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0028 Ohm
Тип корпуса: HVSON
Аналог (замена) для RJK0226DNS
RJK0226DNS Datasheet (PDF)
r07ds0260ej rjk0226dns.pdf

Preliminary Datasheet RJK0226DNS Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching R07DS0260EJ0110Rev.1.10Mar 03, 2011Features High speed switching Capable of 4.5 V gate drive Low drive current High density mounting Low on-resistance RDS(on) = 2.3 m typ. (at VGS = 8 V) Pb-free Halogen-free Outline Packag
r07ds0259ej rjk0225dns.pdf

Preliminary Datasheet RJK0225DNS R07DS0259EJ0110Silicon N Channel Power MOS FET Rev.1.10Power Switching Mar 03, 2011Features Very High speed switching Capable of 4.5 V gate drive Low drive current High density mounting Low on-resistance RDS(on) = 5.9 m typ. (at VGS = 10 V) Pb-free Halogen-free Outline Package name: 8pin HVSON(3333)
r07ds0126ej rjk0223dns.pdf

Preliminary Datasheet RJK0223DNS Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode High Speed Power Switching R07DS0126EJ0030(Previous: REJ03G1952-0020)Rev.0.30Sep 02, 2010Features Low on-resistance Capable of 4.5 V gate drive High density mounting Pb-free Halogen-free Outline RENESAS Package code: PWSN0008JD-A(Package name: HWSON304
r07ds0125ej rjk0222dns.pdf

Preliminary Datasheet RJK0222DNS Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode High Speed Power Switching R07DS0125EJ0030(Previous: REJ03G1951-0020)Rev.0.30Sep 06, 2010Features Low on-resistance Capable of 4.5 V gate drive High density mounting Pb-free Halogen-free Outline RENESAS Package code: PWSN0008JD-A(Package name: HWSON304
Другие MOSFET... RJK0212DPA , RJK0213DPA , RJK0214DPA , RJK0215DPA , RJK0216DPA , RJK0222DNS , RJK0223DNS , RJK0225DNS , IRF540N , RJK0230DPA , RJK0301DPB , RJK0301DPC , RJK0302DPB , RJK0302DPC , RJK0303DPB , RJK0303DPC , RJK0304DPB .
History: B640 | APT5010JVRU3 | 5N65G
History: B640 | APT5010JVRU3 | 5N65G



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
b772m transistor | mj15003g datasheet | irfp460n datasheet | mj15025g | ksa1381 replacement | m3056m mosfet | skd502t mosfet | tip 35 transistor