Справочник MOSFET. RJK0365DPA

 

RJK0365DPA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RJK0365DPA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0084 Ohm
   Тип корпуса: WPAK
 

 Аналог (замена) для RJK0365DPA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RJK0365DPA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1174K  cn vbsemi
rjk0365dpa.pdfpdf_icon

RJK0365DPA

RJK0365DPAwww.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.007 at VGS = 10 V 6030 31 nC0.009 at VGS = 4.5 V 48APPLICATIONS OR-ingDFN5X6 Single DD ServerD 8 DC/DCD 7D 65G12 SS3 S

 0.1. Size:125K  renesas
rej03g1938 rjk0365dpa02ds.pdfpdf_icon

RJK0365DPA

Preliminary Datasheet RJK0365DPA-02 REJ03G1938-0110Silicon N Channel Power MOS FET Rev.1.10Power Switching May 21, 2010Features High speed switching Capable of 4.5 V gate drive Low drive current High density mounting Low on-resistance RDS(on) = 6.3 m typ. (at VGS = 10 V) Pb-free Halogen-free Outline RENESAS Package code: PWSN0008

 8.1. Size:125K  renesas
rej03g1937 rjk0364dpa02ds.pdfpdf_icon

RJK0365DPA

Preliminary Datasheet RJK0364DPA-02 REJ03G1937-0110Silicon N Channel Power MOS FET Rev.1.10Power Switching May 21, 2010Features High speed switching Capable of 4.5 V gate drive Low drive current High density mounting Low on-resistance RDS(on) = 5.3 m typ. (at VGS = 10 V) Pb-free Halogen-free Outline RENESAS Package code: PWSN0008

 8.2. Size:86K  renesas
rjk0369dsp.pdfpdf_icon

RJK0365DPA

RJK0369DSP Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching REJ03G1662-0201 Rev.2.01 Apr 24, 2008 Features Capable of 4.5 V gate drive Low drive current High density mounting Low on-resistance RDS(on) = 12.0 m typ. (at VGS = 10 V) Pb-free Outline RENESAS Package code: PRSP0008DD-D(Package name: SOP-8)5 6 7 8D D D D56781,

Другие MOSFET... RJK0351DSP , RJK0352DSP , RJK0353DPA , RJK0353DSP , RJK0354DSP , RJK0355DPA , RJK0355DSP , RJK0364DPA , AON7410 , RJK0366DPA , RJK0368DPA , RJK0379DPA , RJK0380DPA , RJK0381DPA , RJK0389DPA , RJK0390DPA , RJK0391DPA .

History: HGN093N12S | FQPF5N50CYDTU | IRFS9N60APBF

 

 
Back to Top

 


 
.