BUZ60 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: BUZ60
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
Тип корпуса: TO220M
BUZ60 Datasheet (PDF)
buz60.pdf
BUZ 60SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated Pin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 60 400 V 5.5 A 1 TO-220 AB C67078-S1312-A2Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitContinuous drain current ID ATC = 36 C 5.5Pulsed drain current IDpulsTC = 25 C 22Avalanche current,limited by Tjmax IAR 5.
buz60.pdf
isc N-Channel Mosfet Transistor BUZ60FEATURES5.5A, 400VSOA is Power Dissipation LimitedNanosecond Switching SpeedsLinear Transfer CharacteristicsHigh Input ImpedanceMajority Carrier DeviceMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONDesigned for applications such as switching regulators, switchingconverters,
buz60b.pdf
isc N-Channel Mosfet Transistor BUZ60BFEATURES4.5A, 400VSOA is Power Dissipation LimitedNanosecond Switching SpeedsLinear Transfer CharacteristicsHigh Input ImpedanceMajority Carrier DeviceMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONDesigned for applications such as switching regulators, switchingconverters
Другие MOSFET... BUZ50A-220TM , BUZ50ASM , BUZ50A-TO220M , BUZ50B , BUZ50B-220M , BUZ50B-220SM , BUZ50BSM , BUZ50B-TO220M , 20N50 , BUZ60B , BUZ63 , BUZ64 , BUZ71 , BUZ71A , BUZ71AFI , BUZ71FI , BUZ72A .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918