RJK03F7DNS datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RJK03F7DNS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 15 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0078 Ohm

Тип корпуса: HWSON8

Аналог (замена) для RJK03F7DNS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RJK03F7DNS даташит

 0.1. Size:92K  renesas
 rej03g1917 rjk03f7dnsds.pdf pdf_icon

RJK03F7DNS

Preliminary Datasheet RJK03F7DNS REJ03G1917-0100 Silicon N Channel Power MOS FET Rev.1.00 Power Switching Apr 21, 2010 Features High speed switching Capable of 4.5 V gate drive Low drive current High density mounting Low on-resistance RDS(on) = 5.2 m typ. (at VGS = 8 V) Pb-free Halogen-free Outline RENESAS Package code PWSN0008JB-A

 8.1. Size:91K  renesas
 rej03g1919 rjk03f9dnsds.pdf pdf_icon

RJK03F7DNS

Preliminary Datasheet RJK03F9DNS REJ03G1919-0100 Silicon N Channel Power MOS FET Rev.1.00 Power Switching Apr 21, 2010 Features High speed switching Capable of 4.5 V gate drive Low drive current High density mounting Low on-resistance RDS(on) = 9.5 m typ. (at VGS = 8 V) Pb-free Halogen-free Outline RENESAS Package code PWSN0008JB-A

 8.2. Size:91K  renesas
 rej03g1918 rjk03f8dnsds.pdf pdf_icon

RJK03F7DNS

Preliminary Datasheet RJK03F8DNS REJ03G1918-0100 Silicon N Channel Power MOS FET Rev.1.00 Power Switching Apr 21, 2010 Features High speed switching Capable of 4.5 V gate drive Low drive current High density mounting Low on-resistance RDS(on) = 7 m typ. (at VGS = 8 V) Pb-free Halogen-free Outline RENESAS Package code PWSN0008JB-A (P

 8.3. Size:91K  renesas
 rej03g1916 rjk03f6dnsds.pdf pdf_icon

RJK03F7DNS

Datasheet RJK03F6DNS REJ03G1916-0100 Silicon N Channel Power MOS FET Rev.1.00 Power Switching Apr 21, 2010 Features High speed switching Capable of 4.5 V gate drive Low drive current High density mounting Low on-resistance RDS(on) = 4.5 m typ. (at VGS = 8 V) Pb-free Halogen-free Outline RENESAS Package code PWSN0008JB-A (Package name

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RJK03E4DPA, RJK03E5DPA, RJK03E6DPA, RJK03E7DPA, RJK03E8DPA, RJK03E9DPA, RJK03F0DPA, RJK03F6DNS, 8N60, RJK03F8DNS, RJK03F9DNS, RJK03H1DPA, RJK0451DPB, RJK0452DPB, RJK0453DPB, RJK0454DPB, RJK0455DPB