Справочник MOSFET. RJK1053DPB

 

RJK1053DPB Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RJK1053DPB
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 508 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: LFPAK
 

 Аналог (замена) для RJK1053DPB

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RJK1053DPB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:81K  renesas
r07ds0084ej rjk1053dpb.pdfpdf_icon

RJK1053DPB

Preliminary Datasheet RJK1053DPB R07DS0084EJ0102(Previous: REJ03G1770-0101)Silicon N Channel Power MOS FET Rev.1.02Power Switching Jul 30, 2010Features High speed switching Low on-resistance Capable of 4.5 V gate drive RDS(on) = 10 m typ. (at VGS = 10 V) Low drive current Pb-free High density mounting Halogen-free Outline RENESAS Packa

 8.1. Size:109K  renesas
r07ds0093ej rjk1054dpb.pdfpdf_icon

RJK1053DPB

Preliminary Datasheet RJK1054DPB R07DS0093EJ0200(Previous: REJ03G1886-0100)Silicon N Channel Power MOS FET Rev.2.00Power Switching Aug 17, 2010Features High speed switching Pb-free Low drive current Halogen-free Low on-resistance High density mounting RDS(on) = 17 m typ. (at VGS = 10 V) Outline RENESAS Package code: PTZZ0005DA-A(Pack

 8.2. Size:81K  renesas
r07ds0083ej rjk1052dpb.pdfpdf_icon

RJK1053DPB

Preliminary Datasheet RJK1052DPB R07DS0083EJ0102(Previous: REJ03G1769-0101)Silicon N Channel Power MOS FET Rev.1.02Power Switching Jul 30, 2010Features High speed switching Low on-resistance Capable of 4.5 V gate drive RDS(on) = 15 m typ. (at VGS = 10 V) Low drive current Pb-free High density mounting Halogen-free Outline RENESAS Packa

 8.3. Size:81K  renesas
r07ds0082ej rjk1051dpb.pdfpdf_icon

RJK1053DPB

Preliminary Datasheet RJK1051DPB R07DS0082EJ0102(Previous: REJ03G1768-0101)Silicon N Channel Power MOS FET Rev.1.02Power Switching Jul 30, 2010Features High speed switching Low on-resistance Capable of 4.5 V gate drive RDS(on) = 30 m typ. (at VGS = 10 V) Low drive current Pb-free High density mounting Halogen-free Outline RENESAS Package

Другие MOSFET... RJK1008DPP , RJK1021DPE , RJK1021DPN , RJK1028DNS , RJK1028DPA , RJK1028DSP , RJK1051DPB , RJK1052DPB , IRF630 , RJK1054DPB , RJK1055DPB , RJK1056DPB , RJK1211DNS , RJK1211DPA , RJK1212DNS , RJK1212DPA , RJK1525DPE .

History: TSM6866SDCA | HGW059N12SL | HGP105N15S | IRFZ46NPBF | FQB27P06TM | CEP04N7G | PJA3402

 

 
Back to Top

 


 
.