RJK4006DPD datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RJK4006DPD

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm

Тип корпуса: MP3A

Аналог (замена) для RJK4006DPD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RJK4006DPD даташит

 0.1. Size:116K  renesas
 rej03g1547 rjk4006dpdds.pdf pdf_icon

RJK4006DPD

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

 5.1. Size:79K  renesas
 r07ds0228ej rjk4006dpp.pdf pdf_icon

RJK4006DPD

Preliminary Datasheet RJK4006DPP-M0 R07DS0228EJ0100 Silicon N Channel MOS FET Rev.1.00 High Speed Power Switching Dec 14, 2010 Features Low on-resistance RDS(on) = 0.69 typ. (ID = 4 A, VGS = 10 V, Ta = 25 C) Low leakage current High speed switching Outline RENESAS Package code PRSS0003AF-A (Package name TO-220FL) D 1. Gate 2. Drain G 3. Source

 8.1. Size:84K  renesas
 rjk4002dje.pdf pdf_icon

RJK4006DPD

Preliminary Datasheet RJK4002DJE R07DS0842EJ0200 400V - 3A - MOS FET Rev.2.00 High Speed Power Switching Aug 03, 2012 Features Low on-state resistance RDS(on) = 2.4 typ. (at ID = 1.5 A, VGS = 10 V, Ta = 25 C) High speed switching Outline RENESAS Package code PRSS0003DC-A (Package name TO-92 Mod) D 1. Source G 2. Drain 3. Gate S 3 2 1 Absolute Max

 8.2. Size:94K  renesas
 rjk4002dpd.pdf pdf_icon

RJK4006DPD

Preliminary Datasheet RJK4002DPD R07DS0835EJ0210 400V - 3A - MOS FET Rev.2.10 High Speed Power Switching Jan 29, 2014 Features Low on-state resistance RDS(on) = 2.4 typ. (at ID = 1.5 A, VGS = 10 V, Ta = 25 C) Low drive current High speed switching Outline RENESAS Package code PRSS0004ZG-A D (Package name MP-3A) 4 1. Gate 2. Drain G 3. Source 1

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RJK2055DPA, RJK2057DPA, RJK2508DPK, RJK2511DPK, RJK2555DPA, RJK2557DPA, RJK3008DPK, RJK4002DPP-M0, IRF530, RJK4006DPP-M0, RJK4007DPP-M0, RJK4012DPE, RJK4013DPE, RJK4014DPK, RJK4015DPK, RJK4018DPK, RJK4512DPE