RJL5012DPE datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RJL5012DPE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm

Тип корпуса: LDPAK

Аналог (замена) для RJL5012DPE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RJL5012DPE даташит

 ..1. Size:80K  renesas
 r07ds0435ej rjl5012dpe.pdf pdf_icon

RJL5012DPE

Preliminary Datasheet RJL5012DPE R07DS0435EJ0200 (Previous REJ03G1745-0100) Silicon N Channel MOS FET Rev.2.00 High Speed Power Switching Jun 14, 2011 Features Built-in fast recovery diode Low on-resistance RDS(on) = 0.56 typ. (at ID = 6 A, VGS = 10 V, Ta = 25 C) Low leakage current High speed switching Outline RENESAS Package code PRSS0004AE-

 5.1. Size:204K  renesas
 rjl5012dpp.pdf pdf_icon

RJL5012DPE

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

 5.2. Size:93K  renesas
 rjl5012dpp-m0.pdf pdf_icon

RJL5012DPE

Preliminary Datasheet RJL5012DPP-M0 R07DS0419EJ0100 Silicon N Channel MOS FET Rev.1.00 High Speed Power Switching May 26, 2011 Features Built-in fast recovery diode Low on-resistance RDS(on) = 0.56 typ. (at ID = 6 A, VGS = 10 V, Ta = 25 C) Low leakage current High speed switching Outline RENESAS Package code PRSS0003AF-A (Package name TO-220FL)

 5.3. Size:99K  renesas
 r07ds0419ej rjl5012dpp.pdf pdf_icon

RJL5012DPE

Preliminary Datasheet RJL5012DPP-M0 R07DS0419EJ0100 Silicon N Channel MOS FET Rev.1.00 High Speed Power Switching May 26, 2011 Features Built-in fast recovery diode Low on-resistance RDS(on) = 0.56 typ. (at ID = 6 A, VGS = 10 V, Ta = 25 C) Low leakage current High speed switching Outline RENESAS Package code PRSS0003AF-A (Package name TO-220FL)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RJK6026DPE, RJK6029DJA, RJK6034DPD-E0, RJK6052DPP-M0, RJK6053DPP-M0, RJK6054DPP-M0, RJK6066DPP-M0, RJK60S5DPK-M0, IRF540, RJL5012DPP-M0, RJL5013DPE, RJL5014DPK, RJL5015DPK, RJL5018DPK, RJL5020DPK, RJL5032DPP-M0, RJL6012DPE