Справочник MOSFET. RQJ0204XGDQA

 

RQJ0204XGDQA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RQJ0204XGDQA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 37 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm
   Тип корпуса: SC59A MPAK
 

 Аналог (замена) для RQJ0204XGDQA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RQJ0204XGDQA Datasheet (PDF)

 4.1. Size:86K  renesas
r07ds0293ej rqj0204xgd.pdfpdf_icon

RQJ0204XGDQA

Preliminary Datasheet RQJ0204XGDQA R07DS0293EJ0400(Previous: REJ03G1320-0300)Silicon P Channel MOS FET Rev.4.00Power Switching Mar 28, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 219 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 0.8 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Package name: MPAK)3D3

 8.1. Size:85K  renesas
r07ds0290ej rqj0201ugd.pdfpdf_icon

RQJ0204XGDQA

Preliminary Datasheet RQJ0201UGDQA R07DS0290EJ0400(Previous: REJ03G1317-0300)Silicon P Channel MOS FET Rev.4.00Power Switching Mar 28, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 53 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.8 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Package name: MPAK)3D3

 8.2. Size:85K  renesas
r07ds0292ej rqj0203wgd.pdfpdf_icon

RQJ0204XGDQA

Preliminary Datasheet RQJ0203WGDQA R07DS0292EJ0400(Previous: REJ03G1319-0300)Silicon P Channel MOS FET Rev.4.00Power Switching Mar 28, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 142 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.1 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Package name: MPAK)3D3

 8.3. Size:85K  renesas
r07ds0291ej rqj0202vgd.pdfpdf_icon

RQJ0204XGDQA

Preliminary Datasheet RQJ0202VGDQA R07DS0291EJ0400(Previous: REJ03G1318-0300)Silicon P Channel MOS FET Rev.4.00Power Switching Mar 28, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 83 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.4 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Package name: MPAK)3DG

Другие MOSFET... RJL6015DPK , RJL6018DPK , RJL6020DPK , RJL6032DPP-M0 , RJM0306JSP , RQJ0201UGDQA , RQJ0202VGDQA , RQJ0203WGDQA , 2SK3878 , RQJ0301HGDQS , RQJ0302NGDQA , RQJ0303PGDQA , RQJ0304DQDQA , RQJ0304DQDQS , RQJ0305EQDQA , RQJ0305EQDQS , RQJ0306FQDQA .

History: FQD13N10LTF | RJK1211DPA | HMS10N60K | TPCJ2101

 

 
Back to Top

 


 
.