Справочник MOSFET. RQK0202RGDQA

 

RQK0202RGDQA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RQK0202RGDQA
   Маркировка: RG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(off)|ⓘ - Минимальное напряжение отсечки: 0.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 3.7 nC
   trⓘ - Время нарастания: 88 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 74 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
   Тип корпуса: SC59A MPAK

 Аналог (замена) для RQK0202RGDQA

 

 

RQK0202RGDQA Datasheet (PDF)

 4.1. Size:85K  renesas
 r07ds0302ej rqk0202rgd.pdf

RQK0202RGDQA RQK0202RGDQA

Preliminary Datasheet RQK0202RGDQA R07DS0302EJ0400(Previous: REJ03G1322-0300)Silicon N Channel MOS FET Rev.4.00Power Switching Mar 28, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 42 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.9 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Package name: MPAK)3D3G 1.

 8.1. Size:85K  renesas
 r07ds0304ej rqk0204tgd.pdf

RQK0202RGDQA RQK0202RGDQA

Preliminary Datasheet RQK0204TGDQA R07DS0304EJ0400(Previous: REJ03G1324-0300)Silicon N Channel MOS FET Rev.4.00Power Switching Mar 28, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 100 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.2 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Package name: MPAK)3D3G 1.

 8.2. Size:84K  renesas
 r07ds0303ej rqk0203sgd.pdf

RQK0202RGDQA RQK0202RGDQA

Preliminary Datasheet RQK0203SGDQA R07DS0303EJ0400(Previous: REJ03G1323-0300)Silicon N Channel MOS FET Rev.4.00Power Switching Mar 28, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 68 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.5 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Package name: MPAK)3DG3 1.

 8.3. Size:85K  renesas
 r07ds0301ej rqk0201qgd.pdf

RQK0202RGDQA RQK0202RGDQA

Preliminary Datasheet RQK0201QGDQA R07DS0301EJ0400(Previous: REJ03G1321-0300)Silicon N Channel MOS FET Rev.4.00Power Switching Mar 28, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 25 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 2.4 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Package name: MPAK)3D3G 1.

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top