RQK0302GGDQA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RQK0302GGDQA  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 37 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 34 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.115 Ohm

Тип корпуса: SC59A MPAK

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для RQK0302GGDQA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RQK0302GGDQA даташит

 3.1. Size:104K  renesas
 rej03g1270 rqk0302ggdqsds.pdf pdf_icon

RQK0302GGDQA

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

 4.1. Size:83K  renesas
 r07ds0305ej rqk0302ggd.pdf pdf_icon

RQK0302GGDQA

Preliminary Datasheet RQK0302GGDQA R07DS0305EJ0500 (Previous REJ03G1275-0400) Silicon N Channel MOS FET Rev.5.00 Power Switching Mar 28, 2011 Features Low on-resistance RDS(on) = 92 m typ (VGS = 10 V, ID = 1.3 A) Low drive current High speed switching 4.5 V gate drive Outline RENESAS Package code PLSP0003ZB-A (Package name MPAK) 3 D G 1. Sour

 8.1. Size:104K  renesas
 rej03g1269 rqk0301fgdqsds.pdf pdf_icon

RQK0302GGDQA

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

 8.2. Size:83K  renesas
 r07ds0306ej rqk0303mgd.pdf pdf_icon

RQK0302GGDQA

Preliminary Datasheet RQK0303MGDQA R07DS0306EJ0500 (Previous REJ03G1276-0400) Silicon N Channel MOS FET Rev.5.00 Power Switching Mar 28, 2011 Features Low on-resistance RDS(on) = 42 m typ (VGS = 10 V, ID = 1.8 A) Low drive current High speed switching 4.5 V gate drive Outline RENESAS Package code PLSP0003ZB-A (Package name MPAK) 3 D 3 G 1. S

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RQJ0602EGDQA, RQJ0602EGDQS, RQJ0603LGDQA, RQK0201QGDQA, RQK0202RGDQA, RQK0203SGDQA, RQK0204TGDQA, RQK0301FGDQS, SPP20N60C3, RQK0302GGDQS, RQK0303MGDQA, RQK0601AGDQS, RQK0603CGDQA, RQK0603CGDQS, RQK0604IGDQA, RQK0605JGDQA, RQK0606KGDQA