RQK2001HQDQA - описание и поиск аналогов

 

RQK2001HQDQA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RQK2001HQDQA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 5 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6.7 Ohm

Тип корпуса: SC59A MPAK

Аналог (замена) для RQK2001HQDQA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RQK2001HQDQA даташит

 4.1. Size:106K  renesas
 r07ds0311ej rqk2001hqd.pdf pdf_icon

RQK2001HQDQA

Preliminary Datasheet RQK2001HQDQA R07DS0311EJ0200 (Previous REJ03G1731-0100) Silicon N Channel MOS FET Rev.2.00 Power Switching Mar 28, 2011 Features High drain to source voltage and Low gate drive VDSS 200 V and VGSS 30 V Low drive current High speed switching Small traditional package (MPAK) Outline RENESAS Package code PLSP0003ZB-A (Packag

Другие MOSFET... RQK0603CGDQA , RQK0603CGDQS , RQK0604IGDQA , RQK0605JGDQA , RQK0606KGDQA , RQK0607AQDQS , RQK0608BQDQS , RQK0609CQDQS , IRFP450 , RQK2501YGDQA , RQM2201DNS , RJK0362DSP , RJK0358DSP , HAT1132R , HAT1131R , HAT1130R , HAT1129R .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.