Справочник MOSFET. RQK2001HQDQA

 

RQK2001HQDQA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RQK2001HQDQA
   Маркировка: HQ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(off)|ⓘ - Минимальное напряжение отсечки: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 1.8 nC
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 5 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6.7 Ohm
   Тип корпуса: SC59A MPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RQK2001HQDQA Datasheet (PDF)

 4.1. Size:106K  renesas
 r07ds0311ej rqk2001hqd.pdf pdf_icon

RQK2001HQDQA

Preliminary Datasheet RQK2001HQDQA R07DS0311EJ0200(Previous: REJ03G1731-0100)Silicon N Channel MOS FET Rev.2.00Power Switching Mar 28, 2011Features High drain to source voltage and Low gate drive VDSS : 200 V and VGSS : 30 V Low drive current High speed switching Small traditional package (MPAK) Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Packag

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: STN4536

 

 
Back to Top

 


 
.