Справочник MOSFET. RQK2001HQDQA

 

RQK2001HQDQA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RQK2001HQDQA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 5 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6.7 Ohm
   Тип корпуса: SC59A MPAK
 

 Аналог (замена) для RQK2001HQDQA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RQK2001HQDQA Datasheet (PDF)

 4.1. Size:106K  renesas
 r07ds0311ej rqk2001hqd.pdf pdf_icon

RQK2001HQDQA

Preliminary Datasheet RQK2001HQDQA R07DS0311EJ0200(Previous: REJ03G1731-0100)Silicon N Channel MOS FET Rev.2.00Power Switching Mar 28, 2011Features High drain to source voltage and Low gate drive VDSS : 200 V and VGSS : 30 V Low drive current High speed switching Small traditional package (MPAK) Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Packag

Другие MOSFET... RQK0603CGDQA , RQK0603CGDQS , RQK0604IGDQA , RQK0605JGDQA , RQK0606KGDQA , RQK0607AQDQS , RQK0608BQDQS , RQK0609CQDQS , IRF1407 , RQK2501YGDQA , RQM2201DNS , RJK0362DSP , RJK0358DSP , HAT1132R , HAT1131R , HAT1130R , HAT1129R .

History: NCEP8818AS | 2SK2677

 

 
Back to Top

 


 
.