BUZ901DP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUZ901DP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 950 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm

Тип корпуса: TO3PBL

Аналог (замена) для BUZ901DP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUZ901DP даташит

 ..1. Size:45K  magnatec
buz900dp buz901dp.pdfpdf_icon

BUZ901DP

BUZ900DP MAGNA BUZ901DP TEC MECHANICAL DATA Dimensions in mm N CHANNEL POWER MOSFET 20.0 5.0 3.3 Dia. POWER MOSFETS FOR AUDIO APPLICATIONS FEATURES 1 2 3 HIGH SPEED SWITCHING 2.0 1.0 N CHANNEL POWER MOSFET 2.0 SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED 3.4 HIGH VOLTAGE (160V & 200V) HIGH ENERGY RATING 0.6 1.2 ENHANCEMENT MODE 2.8 INTEGRAL PROTECTION D

 7.1. Size:44K  magnatec
buz900d buz901d.pdfpdf_icon

BUZ901DP

BUZ900D MAGNA BUZ901D TEC MECHANICAL DATA Dimensions in mm N CHANNEL POWER MOSFET +0.1 25.0 -0.15 8.7 Max. 10.90 0.1 1.50 11.60 POWER MOSFETS FOR Typ. 0.3 AUDIO APPLICATIONS FEATURES 1 2 HIGH SPEED SWITCHING N CHANNEL POWER MOSFET SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED HIGH VOLTAGE (160V & 200V) R 4.0 0.1 R 4.4 0.2 HIGH ENERGY RATING ENHANC

 7.2. Size:232K  inchange semiconductor
buz901d.pdfpdf_icon

BUZ901DP

isc N-Channel MOSFET Transistor BUZ901D FEATURES Drain Current I = 16A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 200V(Min) DSS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpose applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PA

 8.1. Size:63K  magnatec
buz900 buz901.pdfpdf_icon

BUZ901DP

BUZ900 www.DataSheet4U.com MAGNA BUZ901 TEC MECHANICAL DATA Dimensions in mm N CHANNEL POWER MOSFET +0.1 25.0 -0.15 8.7 Max. 10.90 0.1 1.50 11.60 POWER MOSFETS FOR Typ. 0.3 AUDIO APPLICATIONS FEATURES 1 2 HIGH SPEED SWITCHING N CHANNEL POWER MOSFET SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED HIGH VOLTAGE (160V & 200V) R 4.0 0.1 R 4.4 0.2 HIGH ENERGY

Другие IGBT... BUZ90, BUZ900, BUZ900D, BUZ900DP, BUZ900P, BUZ900X4S, BUZ901, BUZ901D, 2SK3568, BUZ901P, BUZ901X4S, BUZ902, BUZ902D, BUZ902DP, BUZ902P, BUZ903, BUZ903D