ECH8672 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: ECH8672
Маркировка: TT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Vgs(off)|ⓘ - Минимальное напряжение отсечки: 0.4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 4 nC
trⓘ - Время нарастания: 21 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 66 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
Тип корпуса: ECH8
ECH8672 Datasheet (PDF)
ech8672.pdf
ECH8672Ordering number : ENA1465SANYO SemiconductorsDATA SHEETP-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceECH8672ApplicationsFeatures 1.8V drive. Composite type, facilitating high-density mounting. Halogen free compliance.Specifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS --2
ech8673.pdf
ECH8673Ordering number : ENA1892SANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel and P-Channel Silicon MOSFETsGeneral-Purpose Switching DeviceECH8673ApplicationsFeatures ON-resistance Nch: RDS(on)1=65m (typ.), Pch: ON-resistance RDS(on)1=125m (typ.) 4V drive Halogen free compliance Nch+Pch MOSFETSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParamet
ech8674.pdf
ECH8674Ordering number : ENA1436SANYO SemiconductorsDATA SHEETP-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceECH8674ApplicationsFeatures 1.8V drive. Composite type, facilitating high-density mounting. Halogen free compliance.Specifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS --1
ech8675.pdf
ECH8675Ordering number : ENA1437SANYO SemiconductorsDATA SHEETP-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceECH8675ApplicationsFeatures 1.8V drive. Composite type, facilitating high-density mounting. Halogen free compliance.Specifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS --2
ech8671.pdf
ECH8671Ordering number : ENA1456SANYO SemiconductorsDATA SHEETP-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceECH8671ApplicationsFeatures 1.8V drive. Composite type, facilitating high-density mounting. Halogen free compliance.Specifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS --1
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , STP80NF70 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918