Справочник MOSFET. FTS2057

 

FTS2057 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FTS2057
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP8
 

 Аналог (замена) для FTS2057

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FTS2057 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:382K  sanyo
 fts2057.pdf pdf_icon

FTS2057

FTS2057Ordering number : EN8989SANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceFTS2057ApplicationsFeatures ON-resistance RDS(on)1=96m (typ.) Input capacitance Ciss=1030pF(typ.) 4V drive Protection diode in Halogen free complianceSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Condition

 9.1. Size:99K  sanyo
 fts2003.pdf pdf_icon

FTS2057

Ordering number:ENN5993AN-Channel Silicon MOSFETFTS2003DC/DC Converter ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON resistance.unit:mm 2.5V drive.2147A Mount height of 1.1mm.[FTS2003]3.0 0.4250.65851 : Drain2 : Source3 : Source4 : Gate5 : Drain6 : Source7 : Source148 : Drain0.1250.25SpecificationsSANYO : TSSOP8Absolute Maximum Rat

 9.2. Size:28K  sanyo
 fts2015.pdf pdf_icon

FTS2057

Ordering number : ENN6667FTS2015N-Channel Silicon MOSFETFTS2015Ultrahigh-Speed Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON-resistance. unit : mm 2.5V drive. 2147A Mount height 1.1mm.[FTS2015]3.0 0.4250.658 51 : Drain2 : Source3 : Source1 40.1254 : Gate0.255 : Drain6 : Source7 : Source8 : DrainSANYO : TSSOP8SpecificationsA

 9.3. Size:43K  sanyo
 fts2002.pdf pdf_icon

FTS2057

Ordering number:EN5906N-Channel Silicon MOSFETFTS2002DC-DC Converter ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON resistance.unit:mm 4V dirve.2147 Mount height 1.1mm.3.0[FTS2002]0.9750.658 51:Drain2:Source3:Source4:Gate5:Drain1 40.125 6:Source0.257:Source8:DrainSANYO:TSSOP8SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta = 25CPara

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... ECH8672 , ECH8674 , ECH8675 , EFC4612R , EFC4615R , EFC4618R-P , EMH2411R , FSS294 , IRFP250 , FW216A , MCH3375 , MCH3376 , MCH3474 , MCH3476 , MCH3478 , MCH3479 , MCH6448 .

History: 2SK1074 | STF13N60M2 | SI7491DP | SIHFD014 | SP8M70 | PSMN5R6-100PS

 

 
Back to Top

 


 
.