Справочник MOSFET. FTS2057

 

FTS2057 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FTS2057
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP8

 Аналог (замена) для FTS2057

 

 

FTS2057 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:382K  sanyo
 fts2057.pdf

FTS2057 FTS2057

FTS2057Ordering number : EN8989SANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceFTS2057ApplicationsFeatures ON-resistance RDS(on)1=96m (typ.) Input capacitance Ciss=1030pF(typ.) 4V drive Protection diode in Halogen free complianceSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Condition

 9.1. Size:99K  sanyo
 fts2003.pdf

FTS2057 FTS2057

Ordering number:ENN5993AN-Channel Silicon MOSFETFTS2003DC/DC Converter ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON resistance.unit:mm 2.5V drive.2147A Mount height of 1.1mm.[FTS2003]3.0 0.4250.65851 : Drain2 : Source3 : Source4 : Gate5 : Drain6 : Source7 : Source148 : Drain0.1250.25SpecificationsSANYO : TSSOP8Absolute Maximum Rat

 9.2. Size:28K  sanyo
 fts2015.pdf

FTS2057 FTS2057

Ordering number : ENN6667FTS2015N-Channel Silicon MOSFETFTS2015Ultrahigh-Speed Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON-resistance. unit : mm 2.5V drive. 2147A Mount height 1.1mm.[FTS2015]3.0 0.4250.658 51 : Drain2 : Source3 : Source1 40.1254 : Gate0.255 : Drain6 : Source7 : Source8 : DrainSANYO : TSSOP8SpecificationsA

 9.3. Size:43K  sanyo
 fts2002.pdf

FTS2057 FTS2057

Ordering number:EN5906N-Channel Silicon MOSFETFTS2002DC-DC Converter ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON resistance.unit:mm 4V dirve.2147 Mount height 1.1mm.3.0[FTS2002]0.9750.658 51:Drain2:Source3:Source4:Gate5:Drain1 40.125 6:Source0.257:Source8:DrainSANYO:TSSOP8SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta = 25CPara

 9.4. Size:41K  sanyo
 fts2012.pdf

FTS2057 FTS2057

Ordering number:ENN6360N-Channel Silicon MOSFETFTS2012Ultrahigh-Speed Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON resistance.unit:mm 4V drive.2147A Mounting height 1.1mm.[FTS2012]3.0 0.4250.65851 : Drain2 : Source3 : Source4 : Gate5 : Drain6 : Source147 : Source0.1258 : Drain0.25Specifications SANYO : TSSOP8Absolute Maxim

 9.5. Size:166K  sanyo
 fts2004.pdf

FTS2057 FTS2057

Ordering number:ENN5949AN-Channel Silicon MOSFETFTS2004Ultrahigh-Speed Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON resistance.unit:mm 4V drive.2147A Mounting height 1.1mm.[FTS2004]3.0 0.4250.65851 : Drain2 : Source3 : Source4 : Gate5 : Drain6 : Source7 : Source148 : Drain0.1250.25SANYO : TSSOP8SpecificationsAbsolute Max

 9.6. Size:41K  sanyo
 fts2011.pdf

FTS2057 FTS2057

Ordering number:ENN6355N-Channel Silicon MOSFETFTS2011Load Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON resistance.unit:mm 2.5V drive.2147A Mounting height 1.1mm.[FTS2011]3.0 0.4250.65851 : Drain2 : Source3 : Source4 : Gate5 : Drain6 : Source147 : Source0.1258 : Drain0.25Specifications SANYO : TSSOP8Absolute Maximum Rating

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top