TF410 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: TF410
Тип транзистора: JFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.03 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.001 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 20000 Ohm
Тип корпуса: USFP
Аналог (замена) для TF410
TF410 Datasheet (PDF)
tf410.pdf
TF410Ordering number : ENA2007SANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon Junction FETImpedance Converter, TF410Infrared Sensor ApplicationsApplications Impedance conversion, infrared sensor applicationsFeatures Ultrasmall package facilities miniaturization in end products : 1.0mm0.6mm0.27mm (max 0.3mm) Small IGSS : max --500pA (VGSS= --20V, VDS=0V)
Другие MOSFET... SFT1345 , VEC2415 , 2SK715 , CPH3910 , CPH6904 , MCH3914 , MCH5908 , TF408 , IRFZ24N , 2SK2701A , 2SK2943 , 2SK3003 , 2SK3004 , 2SK3199 , 2SK3710 , 2SK3711 , 2SK3800 .
History: MCH6448 | JMH65R430AK | JMSH1004MC | STB35N60DM2 | ALD1102BSAL | IPD70R900P7S | JMPL0648AU
History: MCH6448 | JMH65R430AK | JMSH1004MC | STB35N60DM2 | ALD1102BSAL | IPD70R900P7S | JMPL0648AU
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G | AGM612S | AGM612MNA | AGM612MN | AGM612MBQ | AGM612MBP | AGM612D | AGM612AP
Popular searches
2sd234 | 2sc9014 | a970 transistor | 2sb560 | tip31c transistor equivalent | 2sc1815 datasheet | mj15015 | 13003 transistor datasheet


