Справочник MOSFET. TF410

 

TF410 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TF410
   Тип транзистора: JFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.03 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.001 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 20000 Ohm
   Тип корпуса: USFP
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

TF410 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:313K  sanyo
 tf410.pdf pdf_icon

TF410

TF410Ordering number : ENA2007SANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon Junction FETImpedance Converter, TF410Infrared Sensor ApplicationsApplications Impedance conversion, infrared sensor applicationsFeatures Ultrasmall package facilities miniaturization in end products : 1.0mm0.6mm0.27mm (max 0.3mm) Small IGSS : max --500pA (VGSS= --20V, VDS=0V)

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: FC6B22220L | 12N65KL-TF1-T | PK664BA | CJU10N10 | BRCS070N03DSC | RHK005N03 | DMP2100UCB9

 

 
Back to Top

 


 
.