Справочник MOSFET. TF410

 

TF410 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TF410
   Маркировка: B
   Тип транзистора: JFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.03 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs(off)|ⓘ - Минимальное напряжение отсечки: 1.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.001 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 20000 Ohm
   Тип корпуса: USFP

 Аналог (замена) для TF410

 

 

TF410 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:313K  sanyo
 tf410.pdf

TF410 TF410

TF410Ordering number : ENA2007SANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon Junction FETImpedance Converter, TF410Infrared Sensor ApplicationsApplications Impedance conversion, infrared sensor applicationsFeatures Ultrasmall package facilities miniaturization in end products : 1.0mm0.6mm0.27mm (max 0.3mm) Small IGSS : max --500pA (VGSS= --20V, VDS=0V)

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top