FKP202 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: FKP202
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.053 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для FKP202
FKP202 Datasheet (PDF)
fkp202.pdf

N-Channel MOS FET FKP202 March. 2007Features Package---FM20 (TO220 Full Mold) Low on-resistance Low input capacitance Avalanche energy capability guarantee Applications PDP driving High speed switching Equivalent circuit D (2) G (1) S (3) Absolute maximum ratings (Ta=25C Parameter Symbol Rating UnitDrain to Source Voltage VDSS
fkp202.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor FKP202FEATURESDrain Current I =45A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =200V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 53m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose a
Другие MOSFET... 2SK3004 , 2SK3199 , 2SK3710 , 2SK3711 , 2SK3800 , 2SK3801 , DKG1020 , EKV550 , IRF1405 , FKP250A , FKP252 , FKP253 , FKP280A , FKP300A , FKP330C , FKV460S , FKV550N .
History: BRCS12N65BD | PHP32N06LT | SSM4924GM | AOE6932 | ME50N75T-G | VBZE100N03 | PK615BMA
History: BRCS12N65BD | PHP32N06LT | SSM4924GM | AOE6932 | ME50N75T-G | VBZE100N03 | PK615BMA



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
2sb1560 | 2n1304 | 2sa979 | 2sc4793 | d965 | mje15031 | irfp150n | mj15025