FKP202 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: FKP202
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.053 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для FKP202
FKP202 Datasheet (PDF)
fkp202.pdf

N-Channel MOS FET FKP202 March. 2007Features Package---FM20 (TO220 Full Mold) Low on-resistance Low input capacitance Avalanche energy capability guarantee Applications PDP driving High speed switching Equivalent circuit D (2) G (1) S (3) Absolute maximum ratings (Ta=25C Parameter Symbol Rating UnitDrain to Source Voltage VDSS
fkp202.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor FKP202FEATURESDrain Current I =45A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =200V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 53m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose a
Другие MOSFET... 2SK3004 , 2SK3199 , 2SK3710 , 2SK3711 , 2SK3800 , 2SK3801 , DKG1020 , EKV550 , P0903BDG , FKP250A , FKP252 , FKP253 , FKP280A , FKP300A , FKP330C , FKV460S , FKV550N .
History: SSB60R140SFD | AP2764AP-A | JCS10N80GDC | AP4963GEM | IAUC120N04S6L008 | FDI036N10A | AP2732GK-HF
History: SSB60R140SFD | AP2764AP-A | JCS10N80GDC | AP4963GEM | IAUC120N04S6L008 | FDI036N10A | AP2732GK-HF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2sb1560 | 2n1304 | 2sa979 | 2sc4793 | d965 | mje15031 | irfp150n | mj15025