R5007ANX. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: R5007ANX

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm

Тип корпуса: TO220FM

Аналог (замена) для R5007ANX

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

R5007ANX даташит

 ..1. Size:280K  rohm
 r5007anx.pdf pdf_icon

R5007ANX

10V Drive Nch MOSFET R5007ANX Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET TO-220FM 10.0 3.2 4.5 2.8 Features 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 1.2 3) Wide SOA (safe operating area). 1.3 4) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. 5) Drive circuits can be simple. 0.8 6) Parallel use is easy. (1)Base 2.54 2.54 0.75 2.6

 7.1. Size:267K  rohm
 r5007anj.pdf pdf_icon

R5007ANX

10V Drive Nch MOSFET R5007ANJ Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET LPTS 10.1 4.5 1.3 Features 1) Low on-resistance. 1.24 2) Fast switching speed. 3) Wide SOA (safe operating area). 2.54 0.4 0.78 4) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. 2.7 5.08 (1) Base (Gate) (1) (2) (3) 5) Drive circuits can be simple. (2) Collector (Drain) 6)

 9.1. Size:3129K  rohm
 r5007fnx.pdf pdf_icon

R5007ANX

R5007FNX Datasheet Nch 500V 7A Power MOSFET lOutline l TO-220FM VDSS 500V RDS(on)(Max.) 1.3 ID 7A PD 40W lInner circuit l lFeatures l 1) Fast reverse recovery time (trr). 2) Low on-resistance. 3) Fast switching speed. 4) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed t

Другие IGBT... 2SK3018, 2SK3018UB, 2SK3019, 2SK3019EB, 2SK3541, R4008AND, R5005CNJ, R5007ANJ, IRFZ44, R5009ANJ, R5009ANX, R5009FNX, R5011ANJ, R5011ANX, R5011FNX, R5013ANJ, R5013ANX