R6046ANZ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: R6046ANZ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 46 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 130 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 3900 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm

Тип корпуса: TO3PF

Аналог (замена) для R6046ANZ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

R6046ANZ даташит

 ..1. Size:1155K  rohm
 r6046anz.pdf pdf_icon

R6046ANZ

Data Sheet 10V Drive Nch MOSFET R6046ANZ Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET 5.5 TO-3PF 3.0 15.5 3.6 Features 1) Low on-resistance. 2) Low input capacitance. 2.0 2.0 3.0 3) High ESD. 0.75 (1) Gate (1) (2) (3) 0.9 (2) Drain Application 5.45 5.45 (3) Source Switching Packaging specifications Inner circuit Package Bulk Type

 0.1. Size:748K  rohm
 r6046anz1.pdf pdf_icon

R6046ANZ

R6046ANZ1 Nch 600V 46A Power MOSFET Datasheet lOutline VDSS 600V TO-247 RDS(on) (Max.) 0.09W ID 46A (3) PD 120W (1) (2) lFeatures lInner circuit 1) Low on-resistance. (1) Gate 2) Fast switching speed. (2) Drain (3) Source 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. 4) Drive circuits can be simple. *1 BODY DIODE 5) Parallel use is easy. 6) Pb-free lead

 9.1. Size:1170K  rohm
 r6046fnz.pdf pdf_icon

R6046ANZ

Data Sheet 10V Drive Nch MOSFET R6046FNZ Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET 5.5 TO-3PF 3.0 15.5 3.6 Features 1) Low on-resistance. 2) Low input capacitance. 2.0 2.0 3.0 3) High ESD. 0.75 (1) Gate (1) (2) (3) 0.9 (2) Drain Application 5.45 5.45 (3) Source Switching Packaging specifications Inner circuit Package Bulk Type

 9.2. Size:754K  rohm
 r6046fnz1.pdf pdf_icon

R6046ANZ

R6046FNZ1 Nch 600V 46A Power MOSFET Datasheet lOutline VDSS 600V TO-247 RDS(on) (Max.) 0.098W ID 46A (3) PD 120W (1) (2) lFeatures lInner circuit 1) Low on-resistance. (1) Gate 2) Fast switching speed. (2) Drain (3) Source 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. 4) Drive circuits can be simple. *1 BODY DIODE 5) Parallel use is easy. 6) Pb-free lead

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... R6015FNX, R6018ANJ, R6018ANX, R6020ANJ, R6020ANX, R6020ANZ, R6020FNX, R6025ANZ, IRF1010E, R6046FNZ, R8002ANX, R8008ANX, RAF040P01, RAL025P01, RAL035P01, RAL045P01, RAQ045P01