RAL035P01. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RAL035P01

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: TUMT6

Аналог (замена) для RAL035P01

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RAL035P01 даташит

 ..1. Size:1167K  rohm
 ral035p01.pdf pdf_icon

RAL035P01

Data Sheet 1.5V Drive Pch MOSFET RAL035P01 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET TUMT6 Features 1) Low On-resistance. 2) Small high power package. 3) Low voltage drive.(1.5V) Abbreviated symbol SB Application Switching Packaging specifications Inner circuit (6) (5) (4) Package Taping Type Code TCR 2 Basic ordering unit (pieces)

Другие IGBT... R6020FNX, R6025ANZ, R6046ANZ, R6046FNZ, R8002ANX, R8008ANX, RAF040P01, RAL025P01, AON7506, RAL045P01, RAQ045P01, RCD040N25, RCD050N20, RCD060N25, RCD075N20, RCD080N25, RCD100N20