Справочник MOSFET. RAL035P01

 

RAL035P01 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RAL035P01
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: TUMT6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RAL035P01 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1167K  rohm
 ral035p01.pdf pdf_icon

RAL035P01

Data Sheet1.5V Drive Pch MOSFETRAL035P01 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETTUMT6Features1) Low On-resistance.2) Small high power package.3) Low voltage drive.(1.5V)Abbreviated symbol : SB ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(6) (5) (4)Package TapingTypeCode TCR2Basic ordering unit (pieces)

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: 50N06L-TN3-R | SIHFU9210 | BRCS100N06BD | 2SJ307 | SMIRF4N65TBRL | TPC65R260M | 2SK417

 

 
Back to Top

 


 
.