RMW280N03 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: RMW280N03
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 81 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 940 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.002 Ohm
Тип корпуса: PSOP8
RMW280N03 Datasheet (PDF)
rmw280n03.pdf
Data Sheet 4.5V Drive Nch MOSFET RMW280N03 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET PSOP8 (8) (7) (6) (5) Features 0 0.1 1) High Power package(PSOP8). 1pin mark 2) High-speed switching,Low On-resistance. (1) (2) (3) (4) 0.22 0.4 0.9 3) Low voltage drive(4.5V drive). 1.27 5.0 Application Switching Packaging specifications Inner circuit
Другие MOSFET... RHP030N03 , RJK005N03 , RJP020N06 , RK7002B , RMW130N03 , RMW150N03 , RMW180N03 , RMW200N03 , 7N60 , RP1A090ZP , RP1E070XN , RP1E075RP , RP1E090RP , RP1E090XN , RP1E100RP , RP1E100XN , RP1E125XN .
History: PSMN3R5-40YSD | MRF175GV | MRF166W | FBM85N80B | HM7N65I | FCAB21520L1 | HM7N65F
History: PSMN3R5-40YSD | MRF175GV | MRF166W | FBM85N80B | HM7N65I | FCAB21520L1 | HM7N65F
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30H150K | AP30H150G | AP3065SD | AP3004S | AP3003 | AP3002S | AP2N65K | AP2716SD | AP2716QD | AP2716KD | AP2714SD | AP2714QD | AP25P30Q | AP25P06Q | AP25P06K | AP25N06Q
Popular searches
2sc2073 | a608 transistor | c536 transistor | 2n706 | 2n388 | 2n3645 | 2n1307 | 2sa747


