RMW280N03 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: RMW280N03
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 81 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 940 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.002 Ohm
Тип корпуса: PSOP8
Аналог (замена) для RMW280N03
RMW280N03 Datasheet (PDF)
rmw280n03.pdf
Data Sheet4.5V Drive Nch MOSFETRMW280N03 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFET PSOP8(8) (7) (6) (5)Features0~0.11) High Power package(PSOP8).1pin mark2) High-speed switching,Low On-resistance. (1) (2) (3) (4)0.220.40.93) Low voltage drive(4.5V drive).1.275.0 ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit
Другие MOSFET... RHP030N03 , RJK005N03 , RJP020N06 , RK7002B , RMW130N03 , RMW150N03 , RMW180N03 , RMW200N03 , IRF830 , RP1A090ZP , RP1E070XN , RP1E075RP , RP1E090RP , RP1E090XN , RP1E100RP , RP1E100XN , RP1E125XN .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP40P04DF | AP40P04D | AP40P03DF | AP40P02D | AP40N20MP | AP40N10P | AP40N03S | AP40N02D | AP30P03D | AP30P02DF | AP30P01DF | AP30N20P | AP30N15D | AP30N10Y | AP260N12TLG1 | AP6G03LI
Popular searches
2sc2073 | a608 transistor | c536 transistor | 2n706 | 2n388 | 2n3645 | 2n1307 | 2sa747


