Аналоги RMW280N03. Основные параметры
Наименование производителя: RMW280N03
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 81 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 940 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.002 Ohm
Тип корпуса: PSOP8
Аналог (замена) для RMW280N03
RMW280N03 даташит
rmw280n03.pdf
Data Sheet 4.5V Drive Nch MOSFET RMW280N03 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET PSOP8 (8) (7) (6) (5) Features 0 0.1 1) High Power package(PSOP8). 1pin mark 2) High-speed switching,Low On-resistance. (1) (2) (3) (4) 0.22 0.4 0.9 3) Low voltage drive(4.5V drive). 1.27 5.0 Application Switching Packaging specifications Inner circuit
Другие MOSFET... RHP030N03 , RJK005N03 , RJP020N06 , RK7002B , RMW130N03 , RMW150N03 , RMW180N03 , RMW200N03 , 7N60 , RP1A090ZP , RP1E070XN , RP1E075RP , RP1E090RP , RP1E090XN , RP1E100RP , RP1E100XN , RP1E125XN .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: APG068N04Q | APG068N04G | APG060N85D | APG054N10D | APG054N10 | APG050N85D | APG050N85 | APG046N01G | APG045N85D | APP540 | APP50N06 | APG250N01Q | APG095N01K | APG095N01 | APG082N01 | APG080N12
Popular searches
2sc2073 | a608 transistor | c536 transistor | 2n706 | 2n388 | 2n3645 | 2n1307 | 2sa747


