Справочник MOSFET. RP1E090RP

 

RP1E090RP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RP1E090RP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: MPT6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RP1E090RP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:288K  rohm
 rp1e090rp.pdf pdf_icon

RP1E090RP

4V Drive Pch MOSFET RP1E090RP Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETMPT6(6) (5) (4)Features1) Low on-resistance.2) Built-in G-S Protection Diode.3) Small Surface Mount Package (MPT6).(1) (2) (3) ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping(6) (5) (4)TypeCode TRBasic ordering unit (pieces) 1000

 0.1. Size:286K  rohm
 rp1e090rptr.pdf pdf_icon

RP1E090RP

4V Drive Pch MOSFET RP1E090RP Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETMPT6(6) (5) (4)Features1) Low on-resistance.2) Built-in G-S Protection Diode.3) Small Surface Mount Package (MPT6).(1) (2) (3) ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping(6) (5) (4)TypeCode TRBasic ordering unit (pieces) 1000

 7.1. Size:1066K  rohm
 rp1e090xn.pdf pdf_icon

RP1E090RP

Data Sheet4V Drive Nch MOSFET RP1E090XN Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETMPT6(Single)(6) (5) (4)Features1) Low on-resistance.2) Built-in G-S Protection Diode.(1) (2) (3)3) Small Surface Mount Package (MPT6). ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(6) (5) (4)Package TapingTypeCode TRBasic order

 9.1. Size:1121K  rohm
 rp1e070xn.pdf pdf_icon

RP1E090RP

Data Sheet4V Drive Nch MOSFET RP1E070XN Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETMPT6(Single)(6) (5) (4)Features1) Low on-resistance.2) Built-in G-S Protection Diode.(1) (2) (3)3) Small Surface Mount Package (MPT6). ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(6) (5) (4)Package TapingTypeCode TRBasic order

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... RMW130N03 , RMW150N03 , RMW180N03 , RMW200N03 , RMW280N03 , RP1A090ZP , RP1E070XN , RP1E075RP , IRF520 , RP1E090XN , RP1E100RP , RP1E100XN , RP1E125XN , RP1H065SP , RP1L055SN , RP1L080SN , RQ1A060ZP .

History: SI9945BDY | NVTFS002N04C

 

 
Back to Top

 


 
.