RSD175N10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RSD175N10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm

Тип корпуса: CPT3 SC63 SOT428

Аналог (замена) для RSD175N10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RSD175N10 даташит

 ..1. Size:1159K  rohm
 rsd175n10.pdf pdf_icon

RSD175N10

Data Sheet 4V Drive Nch MOSFET RSD175N10 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET CPT3 6.5 (SC-63) 5.1 2.3 0.5 Features 1) Low on-resistance. 4) 4V drive. 0.75 4) High power package. 0.65 0.9 2.3 (1) (2) (3) 2.3 0.5 1.0 Application Switching Packaging specifications Inner circuit 1 Package Taping Type Code TL Bas

 0.1. Size:1354K  rohm
 rsd175n10fra.pdf pdf_icon

RSD175N10

Data Sheet AEC-Q101 Qualified 4V Drive Nch MOSFET RSD175N10 RSD175N10FRA Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET CPT3 6.5 (SC-63) 5.1 2.3 0.5 Features 1) Low on-resistance. 4) 4V drive. 0.75 4) High power package. 0.65 0.9 2.3 (1) (2) (3) 2.3 0.5 1.0 Application Switching Packaging specifications Inner circuit 1

Другие IGBT... RSD050N06, RSD050N10, RSD080N06, RSD080P05, RSD100N10, RSD140P06, RSD150N06, RSD160P05, IRFP250N, RSD200N05, RSD200N10, RSE002N06, RSE002P03, RSF010P05, RSF014N03, RSF015N06, RSH065N06