Справочник MOSFET. RSD175N10

 

RSD175N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RSD175N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
   Тип корпуса: CPT3 SC63 SOT428
 

 Аналог (замена) для RSD175N10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RSD175N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1159K  rohm
 rsd175n10.pdf pdf_icon

RSD175N10

Data Sheet4V Drive Nch MOSFET RSD175N10 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETCPT36.5(SC-63)5.12.30.5Features1) Low on-resistance.4) 4V drive.0.754) High power package.0.650.9 2.3(1) (2) (3)2.3 0.51.0 ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit1Package TapingTypeCode TLBas

 0.1. Size:1354K  rohm
 rsd175n10fra.pdf pdf_icon

RSD175N10

Data SheetAEC-Q101 Qualified4V Drive Nch MOSFET RSD175N10RSD175N10FRA Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETCPT36.5(SC-63)5.12.30.5Features1) Low on-resistance.4) 4V drive.0.754) High power package.0.650.9 2.3(1) (2) (3)2.3 0.51.0 ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit1

Другие MOSFET... RSD050N06 , RSD050N10 , RSD080N06 , RSD080P05 , RSD100N10 , RSD140P06 , RSD150N06 , RSD160P05 , AON7408 , RSD200N05 , RSD200N10 , RSE002N06 , RSE002P03 , RSF010P05 , RSF014N03 , RSF015N06 , RSH065N06 .

History: DMN10H120SFG | APT50M85B2VFRG | VBZL45N03 | VS3618AH | SVF14N65CFJ | SUD19P06-60 | IRF7862PBF

 

 
Back to Top

 


 
.