Справочник MOSFET. RSD200N10

 

RSD200N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RSD200N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 61 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.041 Ohm
   Тип корпуса: CPT3 SC63 SOT428
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RSD200N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:241K  rohm
 rsd200n10.pdf pdf_icon

RSD200N10

4V Drive Nch MOSFET RSD200N10 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET CPT3Features 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 3) Wide SOA (safe operating area). 4) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 20V. 5) Drive circuits can be simple. 6) Parallel use is easy. (1)Base(Gate) Applications (2)Collector(Drain) Switching (

 0.1. Size:239K  rohm
 rsd200n10tl.pdf pdf_icon

RSD200N10

4V Drive Nch MOSFET RSD200N10 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET CPT3Features 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 3) Wide SOA (safe operating area). 4) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 20V. 5) Drive circuits can be simple. 6) Parallel use is easy. (1)Base(Gate) Applications (2)Collector(Drain) Switching (

 7.1. Size:1197K  rohm
 rsd200n05.pdf pdf_icon

RSD200N10

Data Sheet4V Drive Nch MOSFET RSD200N05Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETCPT3 (SC-63) Features1) Low on-resistance.2) Fast switching speed. 3) Drive circuits can be simple. 9 4) Parallel use is easy. ApplicationSwitchingPackaging specifications Inner circu

 9.1. Size:366K  rohm
 rsd201n10.pdf pdf_icon

RSD200N10

RSD201N10 Nch 100V 20A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS100VCPT3(SC-63)RDS(on) (Max.)46mW(3) ID20A(2) (1) PD20WlFeatures lInner circuit(3) 1) Low on-resistance.*1 (1) Gate 2) Fast switching speed.(2) Drain (1) (3) Source 3) Drive circuits can be simple.*2 *1 ESD PROTECTION DIODE 4) Parallel use is easy.*2 BODY DIODE 5) Pb-f

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: AP60SL150AI | SMK0460D | QM3003G | NTP2955 | SQM47N10-24L | PMN70XPE | LR024N

 

 
Back to Top

 


 
.