RSF015N06. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RSF015N06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 28 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.21 Ohm

Тип корпуса: TUMT3

Аналог (замена) для RSF015N06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RSF015N06 даташит

 ..1. Size:1193K  rohm
 rsf015n06.pdf pdf_icon

RSF015N06

Data Sheet 4V Drive Nch MOSFET RSF015N06 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET TUMT3 Features 1) Built-in G-S Protection Diode. 2) Small Surface Mount Package (TUMT3). 3) Low voltage drive. (4V) Abbreviated symbol PX Application Switching Packaging specifications Inner circuit (3) Package Taping Type Code TL Basic ordering unit (p

 9.1. Size:49K  rohm
 rsf010p03tl.pdf pdf_icon

RSF015N06

RSF010P03 Transistors 4V Drive Pch MOS FET RSF010P03 Structure External dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOS FET TUMT3 0.85Max. 2.0 0.3 Features 0.77 (3) 1) Low on-resistance. 0 0.1 2) High speed switching. (1) (2) 0.17 0.65 0.65 1.3 (1) Gate Applications (2) Source Abbreviated symbol WX Switching (3) Drain Packaging specifications Inner circui

 9.2. Size:77K  rohm
 rsf014n03.pdf pdf_icon

RSF015N06

RSF014N03 Transistors 4V Drive Nch MOSFET RSF014N03 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET TUMT3 Features 1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TUMT3). 3) 4V drive. (1) Gate (2) Source Abbreviated symbol PN Applications (3) Drain Switching Packaging specifications Inner circuit (3) Package Taping Type Code

 9.3. Size:75K  rohm
 rsf014n03tl.pdf pdf_icon

RSF015N06

RSF014N03 Transistors 4V Drive Nch MOSFET RSF014N03 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET TUMT3 Features 1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TUMT3). 3) 4V drive. (1) Gate (2) Source Abbreviated symbol PN Applications (3) Drain Switching Packaging specifications Inner circuit (3) Package Taping Type Code

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RSD160P05, RSD175N10, RSD200N05, RSD200N10, RSE002N06, RSE002P03, RSF010P05, RSF014N03, IRF9540N, RSH065N06, RSH070N05, RSH070P05, RSJ10HN06, RSJ250P10, RSJ300N10, RSJ400N06, RSJ450N04