RSR020N06. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RSR020N06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm

Тип корпуса: TSMT3

Аналог (замена) для RSR020N06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RSR020N06 даташит

 ..1. Size:193K  rohm
 rsr020n06.pdf pdf_icon

RSR020N06

4V Drive Nch MOS FET RSR020N06 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET TSMT3 1.0MAX 2.9 0.85 0.4 0.7 (3) Features 1) Low on-resistance. (1) (2) 2) Built-in G-S Protection Diode. 0.95 0.95 0.16 3) Small Surface Mount Package (TSMT3) . 1.9 (1) Gate Each lead has same dimensions (2) Source Abbreviated symbol PZ (3) Drain Application Switching

 0.1. Size:592K  rohm
 rsr020n06tl.pdf pdf_icon

RSR020N06

RSR020N06 Nch 60V 2A Power MOSFET Datasheet lOutline VDSS TSMT3 60V (3) RDS(on) (Max.) 170mW (1) ID 2A (2) PD 1.0W lFeatures lInner circuit 1) Low on - resistance. (1) Gate 2) Built-in G-S Protection Diode. (2) Source (3) Drain 3) Small Surface Mount Package (TSMT3). 4) Pb-free lead plating ; RoHS compliant *1 ESD PROTECTION DIODE *2 BODY DIODE lPackaging speci

 0.2. Size:1735K  cn vbsemi
 rsr020n06tl.pdf pdf_icon

RSR020N06

RSR020N06TL www.VBsemi.tw N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available TrenchFET Power MOSFET 0.085 at VGS = 10 V 4.0 60 2.1 nC 100 % Rg Tested 0.096 at VGS = 4.5 V 3.8 100 % UIS Tested APPLICATIONS Battery Switch DC/DC Converter D TO-236 (SOT23)

 8.1. Size:68K  rohm
 rsr020p03 rsr020p03tl.pdf pdf_icon

RSR020N06

RSR020P03 Transistors 4V Drive Pch MOSFET RSR020P03 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET TSMT3 1.0MAX 2.9 0.85 0.4 0.7 3 Features ( ) 1) Low On-resistance 2) Space saving-small surface mount package (TSMT3) ( ) ( ) 1 2 0.95 0.95 3) 4V drive 0.16 1.9 (1) Gate Each lead has same dimensions (2) Source Abbreviated symbol WZ Applications (3) D

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RSJ650N10, RSM002N06, RSM002P03, RSQ015N06, RSQ015P10, RSQ020N03, RSQ045N03, RSR010N10, CS150N03A8, RSR025N03, RSR025N05, RSR030N06, RSU002N06, RSU002P03, RT1A045AP, RT1A050ZP, RT1A060AP