RSR025N03. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RSR025N03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: TSMT3

Аналог (замена) для RSR025N03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RSR025N03 даташит

 ..1. Size:65K  rohm
 rsr025n03.pdf pdf_icon

RSR025N03

RSR025N03 Transistors 4V Drive Nch MOS FET RSR025N03 External dimensions (Unit mm) Structure Silicon N-channel TSMT3 1.0MAX MOS FET 2.9 0.85 0.4 0.7 (3) Features 1) Low on-resistance. ( ) ( ) 1 2 0.95 0.95 2) Built-in G-S Protection Diode. 0.16 1.9 3) Small Surface Mount Package (TSMT3) . (1) Gate Each lead has same dimensions (2) Source Abbreviated symbol

 0.1. Size:63K  rohm
 rsr025n03tl.pdf pdf_icon

RSR025N03

RSR025N03 Transistors 4V Drive Nch MOS FET RSR025N03 External dimensions (Unit mm) Structure Silicon N-channel TSMT3 1.0MAX MOS FET 2.9 0.85 0.4 0.7 (3) Features 1) Low on-resistance. ( ) ( ) 1 2 0.95 0.95 2) Built-in G-S Protection Diode. 0.16 1.9 3) Small Surface Mount Package (TSMT3) . (1) Gate Each lead has same dimensions (2) Source Abbreviated symbol

 0.2. Size:926K  rohm
 rsr025n03fra.pdf pdf_icon

RSR025N03

RSR025N03FRA RSR025N03 Transistors AEC-Q101 Qualified 4V Drive Nch MOS FET RSR025N03FRA RSR025N03 External dimensions (Unit mm) Structure Silicon N-channel TSMT3 1.0MAX MOS FET 2.9 0.85 0.4 0.7 ( ) 3 Features 1) Low on-resistance. (1) (2) 0.95 0.95 2) Built-in G-S Protection Diode. 0.16 1.9 3) Small Surface Mount Package (TSMT3) . (1) Gate Each lead has same d

 6.1. Size:1170K  rohm
 rsr025n05.pdf pdf_icon

RSR025N03

Data Sheet 4V Drive Nch MOSFET RSR025N05 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET TSMT3 Features (3) 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. (1) (2) 3) Drive circuits can be simple. 4) Parallel use is easy. Application Switching Packaging specifications Inner circuit Package Taping (3) Type Code TL Basic ordering unit (pieces) 300

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RSM002N06, RSM002P03, RSQ015N06, RSQ015P10, RSQ020N03, RSQ045N03, RSR010N10, RSR020N06, NCEP15T14, RSR025N05, RSR030N06, RSU002N06, RSU002P03, RT1A045AP, RT1A050ZP, RT1A060AP, RT1C060UN