Справочник MOSFET. RTQ020N03

 

RTQ020N03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RTQ020N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.089 Ohm
   Тип корпуса: TSMT6
 

 Аналог (замена) для RTQ020N03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RTQ020N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:55K  rohm
 rtq020n03.pdf pdf_icon

RTQ020N03

RTQ020N03 Transistors 2.5V Drive Nch MOS FET RTQ020N03 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOS FET TSMT61.0MAX2.90.851.9 Features 0.95 0.95 0.7(6) (5) (4)1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TSMT6). 0~0.1(1) (2) (3)3) Low voltage drive (2.5V drive). 1pin mark0.160.4Each lead has same dimensions

 0.1. Size:53K  rohm
 rtq020n03tr.pdf pdf_icon

RTQ020N03

RTQ020N03 Transistors 2.5V Drive Nch MOS FET RTQ020N03 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOS FET TSMT61.0MAX2.90.851.9 Features 0.95 0.95 0.7(6) (5) (4)1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TSMT6). 0~0.1(1) (2) (3)3) Low voltage drive (2.5V drive). 1pin mark0.160.4Each lead has same dimensions

 0.2. Size:913K  rohm
 rtq020n03fra.pdf pdf_icon

RTQ020N03

RTQ020N03RTQ020N03FRATransistorsAEC-Q101 Qualified2.5V Drive Nch MOS FET RTQ020N03FRARTQ020N03 Structure External dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOS FET TSMT61.0MAX2.90.851.9 Features 0.95 0.95 0.7(6) (5) (4)1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TSMT6). 0~0.1(1) (2) (3)3) Low voltage drive (2.5V drive). 1pin mark

 6.1. Size:217K  rohm
 rtq020n05.pdf pdf_icon

RTQ020N03

2.5V Drive Nch MOSFET RTQ020N05 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TSMT61.0MAX2.90.851.9 Features 0.95 0.95 0.71) Low On-resistance. (6) (5) (4)2) Space savingsmall surface mount package (TSMT6). 0~0.13) Low voltage drive (2.5V drive). (1) (2) (3)1pin mark0.160.4Each lead has same dimensions ApplicationsAbbreviated symbo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... RT1C060UN , RT1E040RP , RT1E050RP , RT1E060XN , RTF015N03 , RTF016N05 , RTF025N03 , RTL035N03 , 75N75 , RTQ020N05 , RTQ035N03 , RTQ045N03 , RTR020N05 , RTR025N03 , RTR025N05 , RTR030N05 , RTR040N03 .

History: FQP3N40 | HGP115N15S | UPA1874GR | IRF3415SPBF | NVH4L080N120SC1 | SI1031R | STF24NF12

 

 
Back to Top

 


 
.