RTQ020N05. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: RTQ020N05
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 45 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm
Тип корпуса: TSMT6
Аналог (замена) для RTQ020N05
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
RTQ020N05 даташит
rtq020n05.pdf
2.5V Drive Nch MOSFET RTQ020N05 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET TSMT6 1.0MAX 2.9 0.85 1.9 Features 0.95 0.95 0.7 1) Low On-resistance. (6) (5) (4) 2) Space saving small surface mount package (TSMT6). 0 0.1 3) Low voltage drive (2.5V drive). (1) (2) (3) 1pin mark 0.16 0.4 Each lead has same dimensions Applications Abbreviated symbo
rtq020n05hzg.pdf
RTQ020N05HZG Datasheet Nch 45V 2A Small Signal MOSFET lOutline l SOT-457T VDSS 45V SC-95 RDS(on)(Max.) 190m TSMT6 ID 2A PD 1.25W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance 2) Built-in G-S protection diode 3) Small surface mount package(TSMT6) 4) Pb-free lead plating ; RoHS compliant 5) AEC-Q101 Qualified l
rtq020n05tr.pdf
RTQ020N05 Nch 45V 2A Power MOSFET Datasheet lOutline (6) VDSS 45V (5) TSMT6 (4) RDS(on) (Max.) 190mW (1) ID 2A (2) PD 1.25W (3) lFeatures lInner circuit 1) Low on - resistance. (1) Drain (2) Drain 2) Built-in G-S Protection Diode. (3) Gate (4) Source 3) Small Surface Mount Package (TSMT6). (5) Drain (6) Drain 4) Pb-free lead plating ; RoHS compliant *1 E
rtq020n03.pdf
RTQ020N03 Transistors 2.5V Drive Nch MOS FET RTQ020N03 Structure External dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOS FET TSMT6 1.0MAX 2.9 0.85 1.9 Features 0.95 0.95 0.7 (6) (5) (4) 1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TSMT6). 0 0.1 (1) (2) (3) 3) Low voltage drive (2.5V drive). 1pin mark 0.16 0.4 Each lead has same dimensions
Другие MOSFET... RT1E040RP , RT1E050RP , RT1E060XN , RTF015N03 , RTF016N05 , RTF025N03 , RTL035N03 , RTQ020N03 , 20N50 , RTQ035N03 , RTQ045N03 , RTR020N05 , RTR025N03 , RTR025N05 , RTR030N05 , RTR040N03 , RU1C002UN .
History: 2SK2887 | UPA1720G | SWD065R68E7T
History: 2SK2887 | UPA1720G | SWD065R68E7T
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
irfp360 | bc108 equivalent | irfp4568 | mj15004 | ksc2073 | nte102a | tip31cg | s9015 transistor






