RTR025N03. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: RTR025N03
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.066 Ohm
Тип корпуса: TSMT3
Аналог (замена) для RTR025N03
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
RTR025N03 даташит
rtr025n03.pdf
RTR025N03 Transistors 2.5V Drive Nch MOS FET RTR025N03 Structure External dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOS FET TSMT3 1.0MAX 2.9 0.85 0.4 0.7 ( ) Features 3 1) Low On-resistance. 2) Space saving-small surface mount package (TSMT3). ( ) ( ) 1 2 0.95 0.95 3) Low voltage drive (2.5V drive). 0.16 1.9 (1) Gate Each lead has same dimensions (2) Source Abbrevi
rtr025n03fra.pdf
RTR025N03FRA RTR025N03 Transistors AEC-Q101 Qualified 2.5V Drive Nch MOS FET RTR025N03FRA RTR025N03 Structure External dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOS FET TSMT3 1.0MAX 2.9 0.85 0.4 0.7 (3) Features 1) Low On-resistance. 2) Space saving-small surface mount package (TSMT3). (1) (2) 0.95 0.95 3) Low voltage drive (2.5V drive). 0.16 1.9 (1) Gate Each lead ha
rtr025n03tl.pdf
RTR025N03 Transistors 2.5V Drive Nch MOS FET RTR025N03 Structure External dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOS FET TSMT3 1.0MAX 2.9 0.85 0.4 0.7 ( ) Features 3 1) Low On-resistance. 2) Space saving-small surface mount package (TSMT3). ( ) ( ) 1 2 0.95 0.95 3) Low voltage drive (2.5V drive). 0.16 1.9 (1) Gate Each lead has same dimensions (2) Source Abbrevi
rtr025n03tl.pdf
RTR025N03TL www.VBsemi.tw N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.030 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET 6.5 30 4.5 nC 100 % Rg Tested 0.033 at VGS = 4.5 V 6.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS DC/DC Converter D TO-236 (SOT-23)
Другие MOSFET... RTF016N05 , RTF025N03 , RTL035N03 , RTQ020N03 , RTQ020N05 , RTQ035N03 , RTQ045N03 , RTR020N05 , IRFZ24N , RTR025N05 , RTR030N05 , RTR040N03 , RU1C002UN , RU1C002ZP , RU1E002SP , RU1L002SN , RUC002N05 .
History: 2SK3337W
History: 2SK3337W
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
ksc2073 | nte102a | tip31cg | s9015 transistor | irf540z | ss8550 transistor | irfp240 mosfet | tip141




