Справочник MOSFET. RTR030N05

 

RTR030N05 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RTR030N05
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 45 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.048 Ohm
   Тип корпуса: TSMT3
 

 Аналог (замена) для RTR030N05

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RTR030N05 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:216K  rohm
 rtr030n05.pdf pdf_icon

RTR030N05

2.5V Drive Nch MOSFET RTR030N05 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TSMT31.0MAX2.90.850.4 0.7( )3 Features 1) Low On-resistance. ( ) ( )1 22) Built-in G-S Protection Diode. 0.95 0.950.161.93) Small Surface Mount Package (TSMT3). (1) Gate Each lead has same dimensions(2) SourceAbbreviated symbol : PV (3) Drain Application I

 0.1. Size:1024K  rohm
 rtr030n05fra.pdf pdf_icon

RTR030N05

AEC-Q101 Qualified2.5V Drive Nch MOSFET RTR030N05 RTR030N05FRA Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETTSMT31.0MAX2.90.850.4 0.7( )3 Features 1) Low On-resistance. ( ) ( )1 22) Built-in G-S Protection Diode. 0.95 0.950.161.93) Small Surface Mount Package (TSMT3). (1) Gate Each lead has same dimensions(2) SourceAbbreviated symbol :

 0.2. Size:215K  rohm
 rtr030n05tl.pdf pdf_icon

RTR030N05

2.5V Drive Nch MOSFET RTR030N05 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TSMT31.0MAX2.90.850.4 0.7( )3 Features 1) Low On-resistance. ( ) ( )1 22) Built-in G-S Protection Diode. 0.95 0.950.161.93) Small Surface Mount Package (TSMT3). (1) Gate Each lead has same dimensions(2) SourceAbbreviated symbol : PV (3) Drain Application I

 8.1. Size:1018K  rohm
 rtr030p02fha.pdf pdf_icon

RTR030N05

RTR030P02FHARTR030P2TransistorsAEC-Q101 Qualified2.5V Drive Pch MOS FET RTR030P02RTR030P02FHA External dimensions (Unit : mm) StructureSilicon P-channel TSMT31.0MAXMOS FET2.90.850.4 0.7(3) Features 1) Low On-resistance. (1) (2)0.95 0.952) Built-in G-S Protection Diode. 0.161.93) Small Surface Mount Package (TSMT3). (1) Gate Each lead has same dimen

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... RTL035N03 , RTQ020N03 , RTQ020N05 , RTQ035N03 , RTQ045N03 , RTR020N05 , RTR025N03 , RTR025N05 , K2611 , RTR040N03 , RU1C002UN , RU1C002ZP , RU1E002SP , RU1L002SN , RUC002N05 , RUE002N02 , RUE002N05 .

History: CJ3139KDW | CEB6060N | FDS5170N7 | F5043 | IXTQ96N15P | NVMFS5C645NL

 

 
Back to Top

 


 
.