RUR020N02 - описание и поиск аналогов

 

RUR020N02. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RUR020N02

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm

Тип корпуса: TSMT3

Аналог (замена) для RUR020N02

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RUR020N02 даташит

 ..1. Size:229K  rohm
 rur020n02.pdf pdf_icon

RUR020N02

1.5V Drive Nch MOSFET RUR020N02 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET TSMT3 Features 1) 1.5V drive 2) Low On-resistance. 3) Built-in G-S Protection Diode. Small Surface Mount Package (TSMT3). (1) Gate Each lead has same dimensions (2) Source Abbreviated symbol XK (3) Drain Applications Switching Packaging specifications Inner circuit Pac

 0.1. Size:598K  ruichips
 rur020n02tl.pdf pdf_icon

RUR020N02

RUR020N02 Nch 20V 2A Power MOSFET Datasheet lOutline VDSS TSMT3 20V (3) RDS(on) (Max.) 105mW ID 2A (1) PD 1W (2) lFeatures lInner circuit (1) Gate 1) Low on - resistance. (2) Source 2) Built-in G-S Protection Diode. (3) Drain 3) Small Surface Mount Package (TSMT3). 4) Pb-free lead plating ; RoHS compliant 1 ESD PROTECTION DIODE 2 BODY DIODE lPackaging spe

Другие MOSFET... RUE002N05 , RUF015N02 , RUF020N02 , RUF025N02 , RUL035N02 , RUM002N02 , RUM002N05 , RUQ050N02 , EMB04N03H , RUR040N02 , RUU002N05 , RVQ040N05 , RW1A013ZP , RW1A020ZP , RW1A025AP , RW1A030AP , RW1C015UN .

History: SMN03T80F | IAUC120N04S6N010 | ME85P03 | TK65A10N1 | AP4410M

 

 

 

 

↑ Back to Top
.