Справочник MOSFET. RUR020N02

 

RUR020N02 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RUR020N02
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
   Тип корпуса: TSMT3
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RUR020N02 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:229K  rohm
 rur020n02.pdf pdf_icon

RUR020N02

1.5V Drive Nch MOSFET RUR020N02 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TSMT3 Features 1) 1.5V drive 2) Low On-resistance. 3) Built-in G-S Protection Diode. Small Surface Mount Package (TSMT3). (1) Gate Each lead has same dimensions(2) SourceAbbreviated symbol : XK (3) Drain Applications Switching Packaging specifications Inner circuit Pac

 0.1. Size:598K  ruichips
 rur020n02tl.pdf pdf_icon

RUR020N02

RUR020N02 Nch 20V 2A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS TSMT3 20V(3) RDS(on) (Max.)105mWID2A(1) PD1W(2) lFeatures lInner circuit(1) Gate 1) Low on - resistance.(2) Source 2) Built-in G-S Protection Diode.(3) Drain 3) Small Surface Mount Package (TSMT3).4) Pb-free lead plating ; RoHS compliant1 ESD PROTECTION DIODE 2 BODY DIODE lPackaging spe

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: 2SK3462 | GSM2014 | AM4953P | 2SJ530STL | IRF3707SPBF | IXFT14N80P | HGA082N10M

 

 
Back to Top

 


 
.