RUR040N02. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: RUR040N02
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
Тип корпуса: TSMT3
Аналог (замена) для RUR040N02
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
RUR040N02 даташит
rur040n02.pdf
RUR040N02 Transistors 1.5V Drive Nch MOSFET RUR040N02 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel TSMT3 MOSFET Features 1) 1.5V drive 2) Low On-resistance. 3) Built-in G-S Protection Diode. 4) Small Surface Mount Package (TSMT3). (1) Gate Each lead has same dimensions (2) Source Abbreviated symbol XF (3) Drain Application Switching Equivalent circuit
rur040n02fra.pdf
RUR040N02FRA RUR040N02 Transistors AEC-Q101 Qualified 1.5V Drive Nch MOSFET RUR040N02 RUR040N02FRA Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel TSMT3 MOSFET Features 1) 1.5V drive 2) Low On-resistance. 3) Built-in G-S Protection Diode. 4) Small Surface Mount Package (TSMT3). (1) Gate Each lead has same dimensions (2) Source Abbreviated symbol XF (3) Drain App
rur040n02tl.pdf
RUR040N02 Transistors 1.5V Drive Nch MOSFET RUR040N02 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel TSMT3 MOSFET Features 1) 1.5V drive 2) Low On-resistance. 3) Built-in G-S Protection Diode. 4) Small Surface Mount Package (TSMT3). (1) Gate Each lead has same dimensions (2) Source Abbreviated symbol XF (3) Drain Application Switching Equivalent circuit
rur040n02tl.pdf
RUR040N02TL www.VBsemi.tw N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)e Qg (Typ.) Definition 0.028 at VGS = 4.5 V TrenchFET Power MOSFET 6a 100 % Rg Tested 20 0.042 at VGS = 2.5 V 6a 8.8 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.050 at VGS = 1.8 V 5.6 APPLICATIONS DC/DC Co
Другие MOSFET... RUF015N02 , RUF020N02 , RUF025N02 , RUL035N02 , RUM002N02 , RUM002N05 , RUQ050N02 , RUR020N02 , RU7088R , RUU002N05 , RVQ040N05 , RW1A013ZP , RW1A020ZP , RW1A025AP , RW1A030AP , RW1C015UN , RW1C020UN .
History: SVT044R5NL5 | TK55D10J1 | BRD7N65S | SD403CY | 2SK2503 | WMQ50N04T1 | DMP4047SK3
History: SVT044R5NL5 | TK55D10J1 | BRD7N65S | SD403CY | 2SK2503 | WMQ50N04T1 | DMP4047SK3
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
2sc1904 | 2sc281 | m28s transistor | 2n3640 | tta1943 transistor | fb4410z | 2sa899 | 2sc1166




