RUR040N02 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: RUR040N02
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 30 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
Тип корпуса: TSMT3
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
RUR040N02 Datasheet (PDF)
rur040n02.pdf

RUR040N02 Transistors 1.5V Drive Nch MOSFET RUR040N02 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel TSMT3MOSFET Features 1) 1.5V drive 2) Low On-resistance. 3) Built-in G-S Protection Diode. 4) Small Surface Mount Package (TSMT3). (1) Gate Each lead has same dimensions(2) SourceAbbreviated symbol : XF(3) Drain Application Switching Equivalent circuit
rur040n02fra.pdf

RUR040N02FRARUR040N02TransistorsAEC-Q101 Qualified1.5V Drive Nch MOSFETRUR040N02RUR040N02FRA Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel TSMT3MOSFET Features 1) 1.5V drive 2) Low On-resistance. 3) Built-in G-S Protection Diode. 4) Small Surface Mount Package (TSMT3). (1) Gate Each lead has same dimensions(2) SourceAbbreviated symbol : XF(3) Drain App
rur040n02tl.pdf

RUR040N02 Transistors 1.5V Drive Nch MOSFET RUR040N02 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel TSMT3MOSFET Features 1) 1.5V drive 2) Low On-resistance. 3) Built-in G-S Protection Diode. 4) Small Surface Mount Package (TSMT3). (1) Gate Each lead has same dimensions(2) SourceAbbreviated symbol : XF(3) Drain Application Switching Equivalent circuit
rur040n02tl.pdf

RUR040N02TLwww.VBsemi.twN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)e Qg (Typ.)Definition0.028 at VGS = 4.5 V TrenchFET Power MOSFET6a 100 % Rg Tested20 0.042 at VGS = 2.5 V 6a 8.8 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.050 at VGS = 1.8 V 5.6APPLICATIONS DC/DC Co
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: CET04N10 | DMP22M2UPS-13 | H5N2004DS
History: CET04N10 | DMP22M2UPS-13 | H5N2004DS



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sc1904 | 2sc281 | m28s transistor | 2n3640 | tta1943 transistor | fb4410z | 2sa899 | 2sc1166