RW1A013ZP - описание и поиск аналогов

 

RW1A013ZP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RW1A013ZP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 28 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm

Тип корпуса: WEMT6

Аналог (замена) для RW1A013ZP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RW1A013ZP даташит

 ..1. Size:203K  rohm
rw1a013zp.pdfpdf_icon

RW1A013ZP

1.5V Drive Pch MOSFET RW1A013ZP Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET WEMT6 (6) (5) (4) Features 1) Low on-resistance. 2) High power package. (1) (2) (3) 3) Low voltage drive. (1.5V) Abbreviated symbol XC Application Inner circuit Switching (6) (5) (4) 2 Packaging specifications 1 Package Taping Type Code T2R (1) Drain Basic orderi

 9.1. Size:1126K  rohm
rw1a025ap.pdfpdf_icon

RW1A013ZP

Data Sheet 1.5V Drive Pch MOSFET RW1A025AP Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET WEMT6 (6) (5) (4) Features 1) Low On-resistance. 2) Small high power package. (1) (2) (3) 3) Low voltage drive.(1.5V) Abbreviated symbol SD Application Switching Packaging specifications Inner circuit (6) (5) (4) Package Taping Type Code T2CR 2 Ba

 9.2. Size:1127K  rohm
rw1a030ap.pdfpdf_icon

RW1A013ZP

Data Sheet 1.5V Drive Pch MOSFET RW1A030AP Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET WEMT6 (6) (5) (4) Features 1) Low On-resistance. 2) Small high power package. (1) (2) (3) 3) Low voltage drive.(1.5V) Abbreviated symbol SB Application Switching Packaging specifications Inner circuit (6) (5) (4) Package Taping Type Code T2CR 2 Bas

 9.3. Size:224K  rohm
rw1a020zp.pdfpdf_icon

RW1A013ZP

1.5V Drive Pch MOSFET RW1A020ZP Structure Dimensions (Unit mm) WEMT6 Silicon P-channel MOSFET (6) (5) (4) Features 1) Low on-resistance. (1) (2) (3) 2) High power package. 3) Low voltage drive. (1.5V) Abbreviated symbol ZE Applications Inner circuit Switching (6) (5) (4) 2 Packaging specifications Package Taping 1 Type Code T2R (1) Drain Basic or

Другие MOSFET... RUL035N02 , RUM002N02 , RUM002N05 , RUQ050N02 , RUR020N02 , RUR040N02 , RUU002N05 , RVQ040N05 , AO4407A , RW1A020ZP , RW1A025AP , RW1A030AP , RW1C015UN , RW1C020UN , RW1C025ZP , RW1E014SN , RW1E015RP .

History: RUU002N05 | SK2300A | U105D | JMPL0648PKQ | 2SK3078 | ASDM40N80Q | FIR7N65FG

 

 

 

 

↑ Back to Top
.