Справочник MOSFET. RW1A013ZP

 

RW1A013ZP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RW1A013ZP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 28 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
   Тип корпуса: WEMT6

 Аналог (замена) для RW1A013ZP

 

 

RW1A013ZP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:203K  rohm
 rw1a013zp.pdf

RW1A013ZP RW1A013ZP

1.5V Drive Pch MOSFET RW1A013ZP Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET WEMT6(6) (5) (4) Features 1) Low on-resistance. 2) High power package. (1) (2) (3)3) Low voltage drive. (1.5V) Abbreviated symbol : XC Application Inner circuit Switching (6) (5) (4)2 Packaging specifications 1Package TapingType Code T2R(1) DrainBasic orderi

 9.1. Size:1126K  rohm
 rw1a025ap.pdf

RW1A013ZP RW1A013ZP

Data Sheet1.5V Drive Pch MOSFET RW1A025AP Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETWEMT6(6) (5) (4)Features1) Low On-resistance.2) Small high power package.(1) (2) (3)3) Low voltage drive.(1.5V)Abbreviated symbol : SD ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(6) (5) (4)Package TapingType Code T2CR2Ba

 9.2. Size:1127K  rohm
 rw1a030ap.pdf

RW1A013ZP RW1A013ZP

Data Sheet1.5V Drive Pch MOSFETRW1A030AP Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETWEMT6(6) (5) (4)Features1) Low On-resistance.2) Small high power package.(1) (2) (3)3) Low voltage drive.(1.5V)Abbreviated symbol : SB ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(6) (5) (4)Package TapingType Code T2CR2Bas

 9.3. Size:224K  rohm
 rw1a020zp.pdf

RW1A013ZP RW1A013ZP

1.5V Drive Pch MOSFET RW1A020ZP Structure Dimensions (Unit : mm) WEMT6Silicon P-channel MOSFET (6) (5) (4) Features 1) Low on-resistance. (1) (2) (3)2) High power package. 3) Low voltage drive. (1.5V) Abbreviated symbol : ZE Applications Inner circuit Switching (6) (5) (4)2 Packaging specifications Package Taping1Type Code T2R(1) DrainBasic or

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top