Справочник MOSFET. RW1A020ZP

 

RW1A020ZP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RW1A020ZP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
   Тип корпуса: WEMT6
 

 Аналог (замена) для RW1A020ZP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RW1A020ZP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:224K  rohm
rw1a020zp.pdfpdf_icon

RW1A020ZP

1.5V Drive Pch MOSFET RW1A020ZP Structure Dimensions (Unit : mm) WEMT6Silicon P-channel MOSFET (6) (5) (4) Features 1) Low on-resistance. (1) (2) (3)2) High power package. 3) Low voltage drive. (1.5V) Abbreviated symbol : ZE Applications Inner circuit Switching (6) (5) (4)2 Packaging specifications Package Taping1Type Code T2R(1) DrainBasic or

 8.1. Size:1126K  rohm
rw1a025ap.pdfpdf_icon

RW1A020ZP

Data Sheet1.5V Drive Pch MOSFET RW1A025AP Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETWEMT6(6) (5) (4)Features1) Low On-resistance.2) Small high power package.(1) (2) (3)3) Low voltage drive.(1.5V)Abbreviated symbol : SD ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(6) (5) (4)Package TapingType Code T2CR2Ba

 9.1. Size:1127K  rohm
rw1a030ap.pdfpdf_icon

RW1A020ZP

Data Sheet1.5V Drive Pch MOSFETRW1A030AP Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETWEMT6(6) (5) (4)Features1) Low On-resistance.2) Small high power package.(1) (2) (3)3) Low voltage drive.(1.5V)Abbreviated symbol : SB ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(6) (5) (4)Package TapingType Code T2CR2Bas

 9.2. Size:203K  rohm
rw1a013zp.pdfpdf_icon

RW1A020ZP

1.5V Drive Pch MOSFET RW1A013ZP Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET WEMT6(6) (5) (4) Features 1) Low on-resistance. 2) High power package. (1) (2) (3)3) Low voltage drive. (1.5V) Abbreviated symbol : XC Application Inner circuit Switching (6) (5) (4)2 Packaging specifications 1Package TapingType Code T2R(1) DrainBasic orderi

Другие MOSFET... RUM002N02 , RUM002N05 , RUQ050N02 , RUR020N02 , RUR040N02 , RUU002N05 , RVQ040N05 , RW1A013ZP , AO4468 , RW1A025AP , RW1A030AP , RW1C015UN , RW1C020UN , RW1C025ZP , RW1E014SN , RW1E015RP , RW1E025RP .

History: 2SK160A | NTD95N02R | DMN15H310SE | FCPF165N65S3L1 | STW43N60DM2 | IRFSZ35 | FMP13N60ES

 

 
Back to Top

 


 
.