RW1A025AP - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: RW1A025AP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.044 Ohm
Тип корпуса: WEMT6
Аналог (замена) для RW1A025AP
RW1A025AP Datasheet (PDF)
rw1a025ap.pdf
Data Sheet1.5V Drive Pch MOSFET RW1A025AP Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETWEMT6(6) (5) (4)Features1) Low On-resistance.2) Small high power package.(1) (2) (3)3) Low voltage drive.(1.5V)Abbreviated symbol : SD ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(6) (5) (4)Package TapingType Code T2CR2Ba
rw1a020zp.pdf
1.5V Drive Pch MOSFET RW1A020ZP Structure Dimensions (Unit : mm) WEMT6Silicon P-channel MOSFET (6) (5) (4) Features 1) Low on-resistance. (1) (2) (3)2) High power package. 3) Low voltage drive. (1.5V) Abbreviated symbol : ZE Applications Inner circuit Switching (6) (5) (4)2 Packaging specifications Package Taping1Type Code T2R(1) DrainBasic or
rw1a030ap.pdf
Data Sheet1.5V Drive Pch MOSFETRW1A030AP Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETWEMT6(6) (5) (4)Features1) Low On-resistance.2) Small high power package.(1) (2) (3)3) Low voltage drive.(1.5V)Abbreviated symbol : SB ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(6) (5) (4)Package TapingType Code T2CR2Bas
rw1a013zp.pdf
1.5V Drive Pch MOSFET RW1A013ZP Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET WEMT6(6) (5) (4) Features 1) Low on-resistance. 2) High power package. (1) (2) (3)3) Low voltage drive. (1.5V) Abbreviated symbol : XC Application Inner circuit Switching (6) (5) (4)2 Packaging specifications 1Package TapingType Code T2R(1) DrainBasic orderi
Другие MOSFET... RUM002N05 , RUQ050N02 , RUR020N02 , RUR040N02 , RUU002N05 , RVQ040N05 , RW1A013ZP , RW1A020ZP , IRFP064N , RW1A030AP , RW1C015UN , RW1C020UN , RW1C025ZP , RW1E014SN , RW1E015RP , RW1E025RP , RXH070N03 .
History: FDS86252 | SP3900 | SFT1341 | SVS20N60TD2 | STC4516 | SFT1342 | 7506
History: FDS86252 | SP3900 | SFT1341 | SVS20N60TD2 | STC4516 | SFT1342 | 7506
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM404AP1 | AGM404A | AGM403Q | AGM403DG | AGM403D1 | AGM403AP | AGM403A1-KU | AGM403A1 | AGM402Q | AGM402H | AGM402D | AGM402C1 | AGM402C | AGM402A1 | AGM402A | AGM4025Q
Popular searches
fb4410z | 2sa899 | 2sc1166 | jcs9n50fc datasheet | 2n2147 | 2sc870 | 2sa771 | d667





