RXH125N03 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: RXH125N03
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 12.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 20 ns
Выходная емкость (Cd): 340 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0075 Ohm
Тип корпуса: SOP8
RXH125N03 Datasheet (PDF)
..1. Size:1138K rohm
rxh125n03.pdf
rxh125n03.pdf
Data Sheet4V Drive Nch MOSFETRXH125N03 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFET SOP8(8) (5)Features1) Low on-resistance.2) Built-in G-S Protection Diode.(1) (4)3) Small Surface Mount Package (SOP8). ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(8) (7) (6) (5)Package TapingTypeCode TBBasic ordering unit (pieces
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
