RXH125N03 - описание и поиск аналогов

 

RXH125N03. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RXH125N03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для RXH125N03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RXH125N03 даташит

 ..1. Size:1138K  rohm
 rxh125n03.pdf pdf_icon

RXH125N03

Data Sheet 4V Drive Nch MOSFET RXH125N03 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET SOP8 (8) (5) Features 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. (1) (4) 3) Small Surface Mount Package (SOP8). Application Switching Packaging specifications Inner circuit (8) (7) (6) (5) Package Taping Type Code TB Basic ordering unit (pieces

Другие MOSFET... RW1C020UN , RW1C025ZP , RW1E014SN , RW1E015RP , RW1E025RP , RXH070N03 , RXH090N03 , RXH100N03 , IRFP460 , RXQ040N03 , RXR035N03 , RYC002N05 , RYE002N05 , RYM002N05 , RYU002N05 , RZE002P02 , RZF013P01 .

History: RZF030P01 | AP16T10GH | SIJ470DP | SMG2319P | IPD60R600P7 | BTS247Z | 2SK3646-01SJ

 

 

 

 

↑ Back to Top
.