RXH125N03 - аналоги и даташиты транзистора

 

RXH125N03 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: RXH125N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 12.7 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RXH125N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1138K  rohm
 rxh125n03.pdf pdf_icon

RXH125N03

Data Sheet4V Drive Nch MOSFETRXH125N03 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFET SOP8(8) (5)Features1) Low on-resistance.2) Built-in G-S Protection Diode.(1) (4)3) Small Surface Mount Package (SOP8). ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(8) (7) (6) (5)Package TapingTypeCode TBBasic ordering unit (pieces

Другие MOSFET... RW1C020UN , RW1C025ZP , RW1E014SN , RW1E015RP , RW1E025RP , RXH070N03 , RXH090N03 , RXH100N03 , IRF640 , RXQ040N03 , RXR035N03 , RYC002N05 , RYE002N05 , RYM002N05 , RYU002N05 , RZE002P02 , RZF013P01 .

History: SMG2398NE | H7N0608LS

 

 
Back to Top

 


 
.