RZF020P01 - описание и поиск аналогов

 

RZF020P01. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RZF020P01

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm

Тип корпуса: TUMT3

Аналог (замена) для RZF020P01

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RZF020P01 даташит

 ..1. Size:229K  rohm
 rzf020p01.pdf pdf_icon

RZF020P01

1.5V Drive Pch MOSFET RZF020P01 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET TUMT3 Features 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small and Surface Mount Package (TUMT3). 4) Low voltage drive (1.5V). (1) Gate (2) Source Abbreviated symbol ZE (3) Drain Applications Inner circuit Switching (3) Packaging specifications 2 P

 0.1. Size:228K  rohm
 rzf020p01tl.pdf pdf_icon

RZF020P01

1.5V Drive Pch MOSFET RZF020P01 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET TUMT3 Features 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small and Surface Mount Package (TUMT3). 4) Low voltage drive (1.5V). (1) Gate (2) Source Abbreviated symbol ZE (3) Drain Applications Inner circuit Switching (3) Packaging specifications 2 P

Другие MOSFET... RXQ040N03 , RXR035N03 , RYC002N05 , RYE002N05 , RYM002N05 , RYU002N05 , RZE002P02 , RZF013P01 , IRFB4227 , RZF030P01 , RZM002P02 , RZQ050P01 , RZR020P01 , RZR025P01 , RZR040P01 , ZDS020N60 , ZDX130N50 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.