Справочник MOSFET. RZF020P01

 

RZF020P01 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RZF020P01
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
   Тип корпуса: TUMT3
 

 Аналог (замена) для RZF020P01

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RZF020P01 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:229K  rohm
 rzf020p01.pdf pdf_icon

RZF020P01

1.5V Drive Pch MOSFET RZF020P01 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET TUMT3 Features 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small and Surface Mount Package (TUMT3). 4) Low voltage drive (1.5V). (1) Gate(2) SourceAbbreviated symbol : ZE(3) Drain Applications Inner circuit Switching (3) Packaging specifications 2P

 0.1. Size:228K  rohm
 rzf020p01tl.pdf pdf_icon

RZF020P01

1.5V Drive Pch MOSFET RZF020P01 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET TUMT3 Features 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small and Surface Mount Package (TUMT3). 4) Low voltage drive (1.5V). (1) Gate(2) SourceAbbreviated symbol : ZE(3) Drain Applications Inner circuit Switching (3) Packaging specifications 2P

Другие MOSFET... RXQ040N03 , RXR035N03 , RYC002N05 , RYE002N05 , RYM002N05 , RYU002N05 , RZE002P02 , RZF013P01 , AON6414A , RZF030P01 , RZM002P02 , RZQ050P01 , RZR020P01 , RZR025P01 , RZR040P01 , ZDS020N60 , ZDX130N50 .

History: 2SK1807

 

 
Back to Top

 


 
.